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WTM2302

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.9nC@ 4.5V 42mΩ@ 4.5V,2.6A 2.6A SOT-23
供应商型号: WTM2302 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WPMTEK/深圳维攀微电子 场效应管(MOSFET) WTM2302

WTM2302概述

    # WTM2302 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    WTM2302 是一款由先进沟槽技术制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它以其出色的导通电阻 \( R{DS(ON)} \) 和低栅极电荷而著称,可在最低 2.5V 的栅极电压下工作。此器件适用于电池保护及各种开关应用。
    主要功能
    - 优秀的 \( R{DS(ON)} \),低栅极电荷
    - 工作电压范围:\( V{DS} \) 达 20V,最大连续漏电流 \( ID \) 达 2.6A
    - 支持低至 2.5V 的栅极驱动电压
    应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 功率管理

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | \( V{DS} \) | 20 | V |
    | 栅源电压 | \( V{GS} \) | ±12 | V |
    | 漏极连续电流 | \( ID \) | 2.6 | A |
    | 漏极脉冲电流(注 1) | \( I{DM} \) | 16 | A |
    | 最大功耗 | \( PD \) | 0.8 | W |
    | 工作结温和存储温度 | \( T{J} \) & \( T{STG} \) | -55 到 +150 | °C |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结到环境热阻 | \( R{\theta JA} \) | 139 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 击穿电压 | \( BVDSS \) | \( V{GS} \)=0V, \( ID \)=250μA | 20 | - | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | \( I{DSS} \) | \( V{DS} \)=20V, \( V{GS} \)=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | \( IGSS \) | \( V{GS} \)=±12V, \( V{DS} \)=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 开启阈值电压 | \( V{GS(th)} \) | \( V{DS} \)= \( V{GS} \), \( ID \)=250μA | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
    | 导通电阻 | \( R{DS(ON)} \) | \( V{GS} \)=2.5V, \( ID \)=2A | - | 62 | 80 | mΩ |
    | 动态特性 | \( C{oss} \) | - | - | 48 | PF |
    | 开关特性 | \( Qg \) | \( V{DS} \)=10V, \( ID \)=2.6A, \( V{GS} \)=4.5V | - | 2.9 | 5 | nC |

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 高性能:\( R{DS(ON)} \) 低至 56mΩ (在 \( V{GS} \)=4.5V 下),使得该器件具备高功率和电流处理能力。
    2. 低成本:无铅产品符合环保要求。
    3. 便于焊接:采用表面贴装封装(SOT-23),便于大规模生产。
    应用中的重要性和市场竞争力
    - 适用于多种开关应用,特别是对尺寸和效率有较高要求的应用。
    - 具备高可靠性,能够在严苛环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护系统
    - 电源管理系统中的负载开关
    使用建议
    1. 在使用时应注意 \( V{DS} \) 和 \( ID \) 的限制,以确保长期稳定性。
    2. 使用过程中应避免超负荷,特别是在高频率应用场合。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与其他标准 SOT-23 封装的产品兼容。
    厂商支持
    - 提供详细的技术文档和应用指南。
    - 支持客户咨询和定制服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:器件在高温下失效。
    - 解决方案:确保应用环境不超过 \( TJ \) 的最大限制值,并采取适当的散热措施。
    2. 问题:焊接过程中损坏。
    - 解决方案:遵循规定的焊接条件和温度曲线,使用适当的焊接设备。

    总结和推荐


    综合评估
    - WTM2302 MOSFET 提供了优异的 \( R{DS(ON)} \) 和低栅极电荷,适用于需要高可靠性和高性能的应用。
    - 具备高性价比和广泛的适用范围,是电源管理和电池保护系统的理想选择。
    推荐
    - 强烈推荐使用 WTM2302 MOSFET,在众多同类产品中,其卓越的性能和可靠性使其成为市场上值得信赖的选择。

WTM2302参数

参数
Id-连续漏极电流 2.6A
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@ 4.5V,2.6A
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 2.9nC@ 4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23

WTM2302厂商介绍

WPMtek(武汉普迈特科技有限公司)是一家致力于研发、生产和销售工业自动化产品的高科技企业。公司主营产品包括:

1. 工业以太网交换机:用于实现工业现场设备之间的高速数据传输,广泛应用于智能制造、轨道交通、电力系统等领域。

2. 工业无线通信设备:包括无线网桥、无线AP等,用于实现工业现场设备的无线连接,适用于远程监控、数据采集等场景。

3. 工业串口通信设备:如串口服务器、串口转以太网模块等,用于实现串口设备与网络的连接,广泛应用于安防监控、工业控制等领域。

4. 工业接口转换器:如RS232/485转换器、USB转串口模块等,用于实现不同接口之间的数据转换,满足多样化的通信需求。

WPMtek的优势在于:

1. 技术创新:公司拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出具有竞争力的新产品。

2. 品质保证:产品经过严格的质量控制和测试,确保在各种恶劣环境下稳定运行。

3. 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用场景的需求。

4. 完善的售后服务:提供专业的技术支持和快速响应,解决客户在使用过程中遇到的问题。

WTM2302数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WPMTEK/深圳维攀微电子 场效应管(MOSFET) WPMTEK/深圳维攀微电子 WTM2302 WTM2302数据手册

WTM2302封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.113
9000+ ¥ 0.11
15000+ ¥ 0.108
198000+ ¥ 0.102
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