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NP12N10G-Y-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NP12N10G-Y-G
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
NATLINEAR/上海南麟电子 场效应管(MOSFET) NP12N10G-Y-G

NP12N10G-Y-G概述

    # NP12N10G 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP12N10G 是一款高性能的100V N-通道增强型MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,提供了出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该产品适用于广泛的电子应用,如汽车应用、硬开关和高频电路以及不间断电源系统。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 源漏电流连续 | ID | 12 8 | A |
    | 源漏电流脉冲 | IDP| 48 A |
    | 击穿能量 | EAS 25 mJ |
    | 最大耗散功率 | PD 50 W |
    | 开启状态漏电流 | ID(ON)| 12 A |
    | 栅源击穿电压 | BVDSS 100 V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS| 1 | 30 µA |
    | 栅泄漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 栅阈值电压 | VGS(th)| 1 | 1.6 | 2.5 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) 105 | 130 | mΩ |
    | 门-源电荷 | Qg 19 nC |
    | 输入电容 | CISS 730 pF |
    | 输出电容 | COSS 36 pF |
    | 反向传输电容 | CRSS 31 pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为105mΩ(@VGS=10V)和122mΩ(@VGS=4.5V),有效降低了功耗和发热。
    2. 高密度单元设计:确保了低RDS(ON)和高效率。
    3. 全面测试:包括雪崩电压和电流测试,确保可靠性。
    4. 优异的热性能:适合于高温环境下的稳定运行。
    5. 高ESD能力:通过特殊工艺实现,增强了产品的耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车应用:适用于电动汽车电池管理系统和动力总成控制系统。
    - 硬开关和高频电路:适用于DC/DC转换器、电机驱动器等需要快速开关的应用。
    - 不间断电源:适用于数据中心和其他关键任务应用,确保电源稳定性。
    使用建议
    - 确保正确连接电路,避免过度应力。
    - 在高温环境中使用时,注意散热,以确保长期稳定运行。
    - 在高频应用中,尽量减少寄生电容的影响,以提高效率。

    兼容性和支持


    NP12N10G采用TO-252-2L封装,便于焊接和安装。厂商提供详尽的技术支持文档,包括电气特性和热性能参数,确保用户能够轻松集成到各类电路中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时出现过热现象。
    解决方案:增加散热片或散热器,保证良好的散热条件。

    2. 问题:开关速度慢导致损耗增大。
    解决方案:优化门极驱动电路,减少门极电荷Qg
    3. 问题:噪声干扰严重。
    解决方案:使用屏蔽线缆,减少外界干扰。

    总结和推荐


    NP12N10G是一款具有出色导通电阻和低栅极电荷的MOSFET。它的高密度单元设计和优异的热性能使其在汽车电子、高频电路和不间断电源系统中有广泛的应用。我们强烈推荐此产品用于需要高效能、高可靠性的应用场合。

NP12N10G-Y-G参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252-2L

NP12N10G-Y-G厂商介绍

NATLINEAR是一家提供线性运动解决方案的公司,专注于设计和制造高品质的线性导轨、滑块、直线电机等产品。这些产品广泛应用于自动化、精密机械、半导体设备、医疗设备、机器人技术等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 线性导轨:提供高精度、高刚性的线性运动路径,适用于需要精确控制的场合。
2. 滑块:与导轨配合使用,实现平滑、稳定的线性运动。
3. 直线电机:提供直接驱动的线性运动解决方案,适用于需要快速响应和高速度的应用。

NATLINEAR的优势在于:
1. 高精度:产品经过精密加工,确保运动精度和重复性。
2. 高可靠性:严格的质量控制和测试,确保产品的长期稳定性和耐用性。
3. 定制化服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
4. 技术支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术问题。

NP12N10G-Y-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NATLINEAR/上海南麟电子 场效应管(MOSFET) NATLINEAR/上海南麟电子 NP12N10G-Y-G NP12N10G-Y-G数据手册

NP12N10G-Y-G封装设计

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