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NCE65TF099

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 322mW 30V 45nC@ 10V 1个N沟道 650V 89mΩ@ 10V,19A 38mA 3.2nF@ 50V TO-220
供应商型号: 14M-NCE65TF099F TO-220F-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE65TF099

NCE65TF099概述

    NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ 技术手册解析

    产品简介


    NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F 是无锡纳芯微电子有限公司推出的一系列高性能N沟道超结功率MOSFET器件。该系列器件采用了先进的沟槽栅极超结技术,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(Qg),适用于广泛的AC-DC开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和LLC半桥电路。

    技术参数


    以下为NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F的主要技术规格和性能参数:
    - 击穿电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 89mΩ(典型值)
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C时:38A
    - TC = 100°C时:24A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 152A
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25°C时:322W
    - 每上升1°C,减少2.58W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 841mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 7A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 3.9mJ
    - 输入电容 (CISS): 2800pF(典型值)
    - 输出电容 (COSS): 97pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 1.5pF
    - 总门极电荷 (Qg): 45nC(典型值)
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 15nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 11.5nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 16ns
    - 开启上升时间 (tr): 13ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 71ns
    - 关断下降时间 (tf): 13ns
    - 源极-漏极二极管特性:
    - 源极-漏极电流 (ISD): 38A
    - 脉冲源极-漏极电流 (ISDM): 152A
    - 正向导通电压 (VSD): 0.9-1.2V
    - 反向恢复时间 (trr): 180ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 1.6uC
    - 峰值反向恢复电流 (Irrm): 18A

    产品特点和优势


    - 优化的体二极管反向恢复性能
    - 低导通电阻和低导通损耗
    - 小封装设计
    - 超低门极电荷,降低驱动需求
    - 100%雪崩测试通过
    - 符合ROHS标准
    这些特点使NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F在高效能和紧凑型设计方面具有显著的优势,特别适合于AC-DC转换器和其他高要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    这些器件广泛应用于多种电力系统中,例如:
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - LLC半桥电路
    在具体应用中,可以根据不同负载条件选择合适的封装类型(TO-263、TO-220、TO-220F)。此外,建议根据温度环境选择适当的散热方案,以确保设备可靠运行。

    兼容性和支持


    NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F可以与其他标准MOSFET驱动器和控制器兼容。制造商提供了详细的技术支持,包括电路设计指导和故障排除建议。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温环境下导通电阻增加。
    - 解决办法: 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,确保工作温度不超过额定范围。
    2. 问题: 脉冲电流导致器件损坏。
    - 解决办法: 使用电流限制电路,避免超过最大脉冲电流限值。
    3. 问题: 反向恢复特性不佳。
    - 解决办法: 在PCB设计中考虑外部缓冲电路,减小寄生电感的影响。

    总结和推荐


    NCE65TF099D/NCE65TF099/NCE65TF099F是一款高度可靠的N沟道超结功率MOSFET,具备低导通电阻、高雪崩能力等优点。在需要高效能和紧凑设计的电力系统中表现出色。经过对各种应用场景和注意事项的分析,我们强烈推荐这些器件用于各种高压、大电流应用中。

NCE65TF099参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 322mW
Rds(On)-漏源导通电阻 89mΩ@ 10V,19A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.2nF@ 50V
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 38mA
栅极电荷 45nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE65TF099厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE65TF099数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE65TF099 NCE65TF099数据手册

NCE65TF099封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 11.2901
10+ ¥ 10.2821
30+ ¥ 9.7063
300+ ¥ 9.574
1000+ ¥ 8.3079
30000+ ¥ 8.0644
库存: 1860
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
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