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NCE6602-N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.2W 20V 1.5V 1个N沟道 30V 58mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,95(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 3.5mA SOT-23-6L 贴片安装
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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE6602-N

NCE6602-N概述

    NCE6602N: 高效N-Channel和P-Channel增强模式功率MOSFET

    1. 产品简介


    NCE6602N 是由无锡NCE Power有限公司开发的一款高效能N-Channel和P-Channel增强模式功率MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术制造,旨在为电池保护和开关应用提供优秀的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。适用于各种开关电源及电池管理系统等场合。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - N-Channel:
    - VDS = 30V, ID = 3.5A
    - RDS(ON) < 58mΩ @ VGS=10V
    - RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=4.5V
    - P-Channel:
    - VDS = -30V, ID = -2.7A
    - RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=-10V
    - RDS(ON) < 150mΩ @ VGS=-4.5V
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V (-30V)
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TA=25°C): 3.5A (-2.7A)
    - 脉冲漏极电流 (TA=25°C): 20A (-15A)
    - 电气特性
    - N-Channel:
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.2V ~ 2.2V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 最大 58mΩ @ 10V
    - 输入电容 (Ciss): 251pF
    - 开关时间 (tr): 最小 1.5ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 10nC
    - P-Channel:
    - 门限电压 (VGS(th)): -1.6V ~ -2.5V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 最大 100mΩ @ -10V
    - 输入电容 (Ciss): 278pF
    - 开关时间 (tr): 最小 5ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 5.8nC
    - 热阻特性
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 104°C/W

    3. 产品特点和优势


    NCE6602N具有以下显著特点:
    - 低导通电阻: N-Channel的最大导通电阻仅为58mΩ,P-Channel为100mΩ。
    - 快速开关速度: 开关时间和上升时间分别为1.5ns和5ns。
    - 低输入/输出泄漏电流: 极低的泄漏电流保证了器件的稳定运行。
    - 兼容性良好: 支持多种应用场景,如电池保护电路和开关电源等。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE6602N广泛应用于电池管理系统和各种开关电源设计。例如,在一个典型的开关电源设计中,可以将NCE6602N作为主控开关,实现高效稳定的电力转换。为了确保最佳性能,建议在高温环境下使用时进行适当的散热措施,并注意合理布局电路以避免寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    NCE6602N采用SOT23-6L封装,可轻松集成到大多数电路板设计中。公司提供详尽的技术支持,包括样品申请、技术文档下载和专业工程师咨询等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何确定正确的栅极驱动电压?
    - A: 应根据器件的数据手册中的门限电压(VGS(th))选择合适的驱动电压,通常推荐使用高于阈值电压的10V作为工作电压。
    - Q:长时间运行时如何管理温度?
    - A: 使用适当的散热片或散热器来提高热稳定性。确保在应用环境中器件不会超过最大工作温度范围。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NCE6602N是一款性能优越且性价比高的N-Channel和P-Channel增强模式功率MOSFET。其出色的导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为电池保护和开关电源领域的理想选择。强烈推荐在相关设计项目中使用此器件,特别是对成本敏感但又需要高性能的产品。

NCE6602-N参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,95(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 1.2W
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Id-连续漏极电流 3.5mA
通用封装 SOT-23-6L
安装方式 贴片安装

NCE6602-N厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE6602-N数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE6602-N NCE6602-N数据手册

NCE6602-N封装设计

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