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NCEP025N30G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65mW 1个N沟道 30V 85mA DFN-5
供应商型号: NCEP025N30G DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP025N30G

NCEP025N30G概述

    # NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE P025N30G 是一款由无锡纳芯微电子有限公司(Wuxi NCE Power Co., Ltd)设计和制造的超级沟槽二极管系列电子元器件。这款器件采用了先进的Super Trench II技术,旨在提供高效的高频开关性能。由于其超低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg),P025N30G在传导损耗和开关损耗方面表现出色,使其成为高频开关和同步整流的理想选择。此产品广泛应用于各种电源转换器和DC/DC转换器领域。

    技术参数


    以下是NCE P025N30G的主要技术参数和电气特性:
    - 最大漏源电压:VDS = 30V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20V
    - 连续漏极电流:ID = 95A (室温下),ID (100℃) = 72A
    - 脉冲漏极电流:IMD = 380A
    - 最大功耗:PD = 80W
    - 热阻(结至外壳):RθJC = 1.56℃/W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 352mJ
    导通特性
    - 阈值电压:VGS(th) = 1.0 ~ 2.5V
    - 导通电阻:
    - VGS=10V,ID=47.5A 时:RDS(ON) = 2.3mΩ (典型值)
    - VGS=4.5V,ID=47.5A 时:RDS(ON) = 3.8mΩ (典型值)
    动态特性
    - 输入电容:CISS = 2400PF
    - 输出电容:COSS = 1700PF
    - 反向传输电容:CRSS = 120PF
    开关特性
    - 开启延迟时间:td(on) = 5.0ns
    - 关闭延迟时间:td(off) = 27.0ns
    - 总栅极电荷:Qg = 40.5nC

    产品特点和优势


    NCE P025N30G 具有以下几个显著特点:
    - 超低导通电阻:RDS(ON)低至2.3mΩ(VGS=10V),有效降低导通损耗。
    - 高频率开关性能:得益于Super Trench II技术,P025N30G可以在高频环境下实现高效能表现。
    - 宽温度范围:能够在-55℃到150℃的极端温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境。
    - 良好的安全性能:100% UIS测试和ΔVds测试确保了器件的安全性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:P025N30G特别适合于需要高效能高频转换的应用场合,如DC/DC转换器。
    - 同步整流:利用其低导通电阻特性,可以提高同步整流电路的整体效率。
    使用建议
    1. 在使用过程中,确保栅极驱动信号满足VGS的最大值要求,以避免器件损坏。
    2. 在高温环境下使用时,注意散热,避免超过最大功耗。
    3. 设计时考虑电路中的过压保护和过流保护机制,以确保器件长期稳定运行。

    兼容性和支持


    NCE P025N30G 采用DFN5X6-8L封装,符合无铅标准。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,包括详细的参数规格和技术文档。对于在应用过程中遇到的具体问题,可以联系当地代理商获取支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何防止栅极过压?
    - 解决方案:添加栅极电阻以限制栅极电压峰值,并确保栅极驱动信号不超过±20V。
    2. 问题:如何处理高温环境下的热管理?
    - 解决方案:增加散热片或风扇,确保器件工作在规定的温度范围内。
    3. 问题:如何改善开关速度?
    - 解决方案:减小栅极电阻(RG),并优化驱动电路的设计以加快开关速度。

    总结和推荐


    NCE P025N30G 是一款高性能的超级沟槽二极管,具备优异的高频开关性能和极低的导通电阻。其卓越的温度适应性和广泛的应用范围使其成为众多电源转换领域的理想选择。综合来看,NCE P025N30G 在技术参数、应用案例及性价比等方面都具有明显的优势,非常值得推荐给需要高性能MOSFET的工程师和设计师。

NCEP025N30G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 85mA
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 65mW
通用封装 DFN-5

NCEP025N30G厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP025N30G数据手册

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NCEP025N30G封装设计

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