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NCEP15T14LL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 380mW 1个N沟道 150V 170mA
供应商型号: NCEP15T14LL TOLL
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP15T14LL

NCEP15T14LL概述

    NCEP15T14LL N-Channel Super Trench Power MOSFET

    1. 产品简介


    NCEP15T14LL 是无锡纳芯微电子公司推出的一款超级沟槽N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种设备采用了独特的超级沟槽技术,能够提供高效的高频开关性能。该MOSFET特别适用于高频率开关和同步整流应用,如直流-直流转换器。

    2. 技术参数


    - 主要电气特性
    - 漏源电压 (VDS):150V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):170A @ TC=25℃;120A @ TC=100℃;16A @ TA=25℃
    - 脉冲漏极电流 (IDM):680A
    - 最大功耗 (PD):380W @ TC=25℃;3.75W @ TA=25℃
    - 结温范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 175°C
    - 热阻 (RθJC, RθJA):0.4°C/W, 40°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):150V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):≤1μA
    - 门体漏电流 (IGSS):±100nA
    - 门限电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):5.0mΩ @ VGS=10V, ID=85A
    - 动态参数
    - 输入电容 (CISS):5500pF 至 7150pF
    - 输出电容 (COSS):690pF 至 890pF
    - 反向传输电容 (CRSS):24pF 至 31pF
    - 开关时间
    - 导通延时时间 (td(on)):26ns
    - 导通上升时间 (tr):36ns
    - 关断延时时间 (td(off)):47ns
    - 关断下降时间 (tf):15ns
    - 总栅极电荷 (Qg):80nC 至 104nC
    - 门源电荷 (Qgs):32nC 至 41nC
    - 门漏电荷 (Qgd):22nC 至 28nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效高频开关性能:通过超级沟槽技术实现,能显著降低导通和开关损耗。
    - 低导通电阻:RDS(ON)=5.0mΩ,典型值为VGS=10V,ID=85A条件下的导通电阻较低,有助于减少发热和提高效率。
    - 宽温度范围:可在-55°C至175°C的环境中稳定工作,确保在恶劣环境下的可靠性。
    - 100%测试认证:经过UIS测试和ΔVds测试,确保产品的质量和性能。
    - 无铅镀层:符合环保要求,适合现代电子产品设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - DC/DC转换器:NCEP15T14LL非常适合用于高频率开关和同步整流,是高性能DC/DC转换器的理想选择。
    - 使用建议:
    - 散热管理:考虑到其较高的连续漏极电流,合理布置散热片,确保良好的热管理,以避免过热。
    - 驱动电路设计:为降低损耗,应选择适当的栅极电阻,确保快速开关但不导致过高的开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCEP15T14LL支持多种电路设计,可以方便地集成到现有的电源管理系统中。
    - 技术支持:无锡纳芯微电子提供了全面的技术支持,包括应用指南、设计软件等资源,以帮助客户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备发热严重。
    - 解决方案:检查散热系统的设计,增加散热片面积或风扇,确保良好的热交换。
    - 问题2:设备开关速度慢。
    - 解决方案:调整驱动电路中的栅极电阻,减少Qg值以加快开关速度。
    - 问题3:设备电流超过额定值。
    - 解决方案:确保负载不超过额定值,检查电路连接是否正确,避免过载。

    7. 总结和推荐


    NCEP15T14LL是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,特别适合于高频率开关和同步整流应用。它具有优异的导通电阻、低栅极电荷和宽温度工作范围,是一款高度可靠的产品。结合无锡纳芯微电子提供的全方位技术支持,我们强烈推荐这款产品用于高性能电源设计中。

NCEP15T14LL参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 380mW
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 170mA
Vds-漏源极击穿电压 150V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道

NCEP15T14LL厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP15T14LL数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP15T14LL NCEP15T14LL数据手册

NCEP15T14LL封装设计

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