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NCE30H12K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 120mW 20V 1.6V 79nC 1个N沟道 30V 3.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 120mA 4.12nF@ 25V TO-252 贴片安装
供应商型号: NCE30H12K TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE30H12K

NCE30H12K概述

    NCE30H12K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    NCE30H12K是一款采用先进沟槽技术设计的N沟道增强型功率MOSFET。它以其出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷而著称,适用于广泛的电力转换和控制应用。
    主要功能:
    - 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(ON)典型值为3.5mΩ,最大值为4.5mΩ。
    - 高密度单元设计:实现超低导通电阻。
    - 全面的雪崩电压和电流特征。
    - 优异的封装,具有良好的热耗散能力。
    - 特殊工艺技术,具备高ESD(静电放电)能力。
    应用领域:
    - 功率开关应用。
    - 硬开关和高频电路。
    - 不间断电源(UPS)。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 漏极连续电流(ID):120A(TC=100℃时为84A)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):400A
    - 最大功率耗散(PD):120W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):350mJ
    - 工作温度范围:
    - 结温及存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻(RθJC):1.25 °C/W

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 高密度单元设计确保了极低的导通电阻。
    - 优秀的封装设计有助于高效散热。
    - 具备高雪崩能力和ESD防护。
    - 出色的热稳定性和均匀性。
    - 极佳的可靠性与耐用性,适用于严苛的工作环境。
    市场竞争力:
    - 在高压和大电流应用中表现出色。
    - 良好的热管理和可靠的ESD防护使其在工业级应用中尤为受欢迎。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景分析:
    - 不间断电源(UPS): NCE30H12K能够有效提升UPS系统的效率和可靠性,尤其适用于需要高性能输出的应用场景。
    - 硬开关和高频电路: 其快速的开关特性和低门极电荷使得其在这些应用中表现出色,提高了系统的整体效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在高频率操作下,选择适当的散热措施以防止过热。
    - 确保使用符合要求的驱动电路以充分利用其高开关速度的优势。
    - 定期检查并维护系统,以保持最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NCE30H12K可与其他标准电路板兼容,适合在FR4板上表面安装。
    - 支持: NCE提供详尽的技术文档和及时的技术支持,确保客户能够充分发挥其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题与解决方案:
    - 问题1: 系统出现过热问题。
    - 解决方案: 检查散热措施是否到位,考虑增加外部散热装置。

    - 问题2: 门极信号不稳定。
    - 解决方案: 使用适当的门极驱动电路,确保门极信号干净且稳定。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - NCE30H12K作为一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,在高压和大电流应用中表现出色。
    - 其低导通电阻和高耐压能力使其在众多应用中表现出色。
    - 强大的ESD防护能力和优异的热稳定性增强了其在恶劣环境下的适用性。
    推荐使用:
    - 非常推荐在需要高性能和高可靠性的应用场景中使用NCE30H12K,如电力转换、工业自动化、通信基础设施等。
    通过上述分析可以看出,NCE30H12K不仅技术先进,而且在应用中展现出显著的优势和市场竞争力,是高性能应用的理想选择。

NCE30H12K参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.12nF@ 25V
最大功率耗散 120mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,
Id-连续漏极电流 120mA
栅极电荷 79nC
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCE30H12K厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE30H12K数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE30H12K NCE30H12K数据手册

NCE30H12K封装设计

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