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NCE60H15A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 220mW 20V 130.8nC@ 10V 1个N沟道 60V 4mΩ@ 10V 150mA 5.451nF@ 30V TO-220
供应商型号: 14M-NCE60H15A
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE60H15A

NCE60H15A概述

    NCE60H15A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE60H15A 是由无锡市南车功率半导体有限公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该产品采用了先进的沟槽技术,旨在提供极低的导通电阻(RDS(ON)),并具有较高的栅电荷性能。其广泛应用于电源开关、硬开关及高频电路、不间断电源等领域。NCE60H15A 的基本规格如下:
    - 最大漏源电压 (VDS): 60V
    - 持续漏极电流 (ID): 150A
    - 极限脉冲漏极电流 (IDM): 600A

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | - | 60 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=75A | - | 3.1 | 4.0 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 5451 | PF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 609 | PF |
    | 反向传输电容 | Crss | VDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 488 | PF |
    | 开关时间 | td(on) | - | 25 | nS |
    | 关断时间 | td(off) | - | 90 | nS |

    产品特点和优势


    NCE60H15A 在设计上具有以下几个显著优势:
    1. 极低的导通电阻:RDS(ON) 在 VGS=10V 时典型值为 3.1mΩ,适用于需要高效能的电源应用。
    2. 高密度单元设计:提供超低 RDS(ON),适合高电流需求的应用。
    3. 出色的封装:提供良好的散热性能,有助于延长产品寿命。
    4. 高ESD能力:采用特殊工艺技术,保证了在高静电环境中稳定运行。
    5. 完全经过测试:100%UIS 和 ∆Vds 测试,确保产品可靠性。

    应用案例和使用建议


    NCE60H15A 广泛应用于多种电子系统中,如:
    - 电源开关应用:适用于各种电源转换器和逆变器。
    - 硬开关和高频电路:适合高频开关电源和逆变器。
    - 不间断电源:可用于UPS系统的主开关。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,避免超过最大工作温度。
    - 遵循制造商的推荐电路配置,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    NCE60H15A 与常见的电源管理集成电路和其他功率器件兼容。无锡市南车功率半导体有限公司提供了全面的技术支持,包括产品选型指南、设计文档和售后技术支持。用户可以通过官方网站获取更多信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的问题及其解决方案:
    1. 过热问题:确保使用合适的散热器,并保持良好的气流。
    2. 开关频率过高导致损坏:调整电路参数,确保开关频率不超过推荐值。
    3. 电磁干扰:使用屏蔽电缆和适当的滤波器,减少电磁干扰。

    总结和推荐


    NCE60H15A 作为一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,在导通电阻、栅电荷和封装方面表现出色。它在电源管理和高频应用中表现优异,适合对性能要求高的工业应用。综合考虑,NCE60H15A 是一款值得推荐的产品,特别适合那些需要高效率、低功耗的应用场景。

NCE60H15A参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
栅极电荷 130.8nC@ 10V
Id-连续漏极电流 150mA
最大功率耗散 220mW
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.451nF@ 30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220

NCE60H15A厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE60H15A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE60H15A NCE60H15A数据手册

NCE60H15A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 1.9124
4000+ ¥ 1.8582
6000+ ¥ 1.8041
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