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NCE60H15AD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 220mW 130.8nC@ 10V 1个N沟道 60V 3.1mΩ@ 10V,75A 150mA TO-263 2.32mm(高度)
供应商型号: 14M-NCE60H15AD TO-263-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE60H15AD

NCE60H15AD概述

    NCE60H15AD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NCE60H15AD 是由无锡南车功率半导体有限公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术设计,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))的同时具备低栅极电荷特性。它广泛应用于电源开关应用、硬切换和高频电路中,如不间断电源(UPS)系统。

    2. 技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 150A(在25℃)
    - 连续漏极电流 (ID): 105A(在100℃)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 600A
    - 最大功耗 (PD): 220W
    - 热阻 (RθJC): 0.68℃/W
    - 电气特性:
    - 导通状态电阻 (RDS(ON)): 3.1mΩ (VGS=10V, ID=75A)
    - 门阈电压 (VGS(th)): 2V 至 4V (VDS=VGS, ID=250μA)
    - 门电容 (Ciss): 5451pF
    - 输出电容 (Coss): 609pF
    - 反向传输电容 (Crss): 488pF
    - 动态特性:
    - 开关延迟时间 (td(on)): 25ns
    - 开启上升时间 (tr): 23ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 90ns
    - 关闭下降时间 (tf): 38ns
    - 门电荷 (Qg): 130.8nC
    - 反向恢复时间:
    - 反向恢复时间 (trr): 60ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 80nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: RDS(ON) < 4.0mΩ @ VGS=10V,保证了低导通损耗。
    - 高密度单元设计: 提供超低RDS(ON),使得器件能在较小的尺寸内实现高效性能。
    - 良好的稳定性与均匀性: 具备高EAS能力,确保在各种应用条件下稳定运行。
    - 优秀的热管理能力: 专门的封装技术有助于有效散热。
    - 高ESD能力: 特殊工艺提高了器件的静电放电抗性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器: NCE60H15AD可以用于高效的电源转换,例如在UPS系统中的开关应用。
    - 高频逆变器: 由于具备出色的开关特性,它适用于需要高频工作的电路。
    使用建议:
    - 在设计高频逆变器时,需要注意栅极驱动电阻的选择,以优化开关性能。
    - 为了提高热管理效率,建议采用良好的散热设计,如加装散热片。

    5. 兼容性和支持


    NCE60H15AD的TO-263-2L封装使其易于与其他电子元器件集成。制造商提供了详细的测试数据和曲线,确保用户能够充分理解其性能。此外,无锡南车功率半导体有限公司提供了专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 为何NCE60H15AD在高温环境下表现不如预期?
    - 解决方案: 检查热设计是否足够,确保散热良好。如果需要更高散热效率,考虑使用外部冷却装置。

    - 问题: 如何优化开关性能?
    - 解决方案: 调整栅极电阻值,以获得最佳的开关速度和降低开关损耗。建议在具体应用中进行试验调整。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE60H15AD是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET,非常适合于高频开关电源和逆变器等应用。其卓越的导通电阻和低栅极电荷特性使得它在许多工业和消费类电子应用中具有显著的优势。鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐给需要高性能电源解决方案的设计工程师。
    通过上述解析,我们可以清楚地看到NCE60H15AD不仅具备高性能,而且在多种应用场景下表现出色。如果您正在寻找一款高效、可靠的功率MOSFET,NCE60H15AD无疑是您的理想选择。

NCE60H15AD参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 220mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 150mA
栅极电荷 130.8nC@ 10V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1mΩ@ 10V,75A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 2.32mm(高度)
通用封装 TO-263
应用等级 工业级

NCE60H15AD厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE60H15AD数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE60H15AD NCE60H15AD数据手册

NCE60H15AD封装设计

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