处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE70T360D

NCE70T360D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 101W 30V 3.5V 19nC@ 10V 1个N沟道 700V 390mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 11.5A TO-263-2
供应商型号: 14M-NCE70T360D
供应商: 云汉优选
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE70T360D

NCE70T360D概述

    # NCE70T360D/NCE70T360/NCE70T360F N-Channel Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    NCE70T360D、NCE70T360和NCE70T360F是无锡NCE功率半导体有限公司推出的N沟道超级结功率MOSFET III系列的产品。这些产品采用先进的沟槽栅超级结技术设计,旨在提供卓越的导通电阻(RDS(ON))并降低门极电荷。它们特别适用于交流-直流开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)和不间断电源(UPS)等领域。

    技术参数


    电气特性
    - 漏源击穿电压(VDS):700V
    - 最大漏极电流(ID):11.5A(TC=25℃)
    - 导通电阻(RDS(ON)):330mΩ(VGS=10V, ID=7A)
    - 门极-源极泄漏电流(IGSS):±100nA(VGS=±20V, VDS=0V)
    - 输入电容(Ciss):870pF(VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz)
    - 输出电容(Coss):54pF
    - 反向传输电容(Crss):1.8pF
    - 总门极电荷(Qg):19nC(VDS=480V, ID=11.5A, VGS=10V)
    工作环境
    - 漏源电压上升速率(dv/dt):50V/ns(VDS≤480V)
    - 反向二极管电压上升速率(dv/dt):15V/ns(VDS≤480V, ISD- 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    热特性
    - 结至外壳热阻(RthJC):1.24°C/W(TO-263),3.83°C/W(TO-220)
    - 结至环境热阻(RthJA):62°C/W(TO-263),80°C/W(TO-220)

    产品特点和优势


    NCE70T360D、NCE70T360和NCE70T360F具有以下显著特点和优势:
    - 新型高电压技术:提供出色的性能。
    - 低导通电阻和低传导损耗:适用于各种电源转换应用。
    - 小巧封装:节省空间,适合紧凑设计。
    - 极低门极电荷:降低了驱动要求。
    - 100%雪崩测试通过:确保可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS标准:环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些MOSFET广泛应用于电源领域的各种应用,如:
    - 功率因数校正(PFC):用于提高系统效率和减少谐波干扰。
    - 开关模式电源(SMPS):适用于多种工业和消费电子产品。
    - 不间断电源(UPS):提供稳定可靠的电力供应。
    使用建议
    - 在设计电路时,要合理选择散热措施以避免过热。
    - 考虑到门极电荷较低,驱动电路设计可以简化。
    - 注意工作环境温度,尤其是在高温条件下保持良好的散热。

    兼容性和支持


    NCE70T360D、NCE70T360和NCE70T360F可以与其他标准MOSFET插槽兼容,便于替换和升级现有系统。此外,制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,帮助用户更好地利用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的散热措施?
    解答:根据实际工作条件选择合适的散热器,确保结温不超过最大允许值。

    2. 问题:驱动电路应该如何设计?
    解答:考虑到低门极电荷,可以使用较低的驱动电压和较小的门极电阻来简化驱动电路。

    3. 问题:如何防止过载?
    解答:设置合适的过流保护机制,避免长时间工作在超负荷状态。

    总结和推荐


    NCE70T360D、NCE70T360和NCE70T360F是一款高性能、高可靠性、易于使用的N沟道超级结功率MOSFET。其出色的电气特性和优异的热稳定性使其成为各种电源转换应用的理想选择。对于需要高效、可靠的电源解决方案的工程师来说,这是一款值得推荐的产品。

NCE70T360D参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 101W
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 19nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
Id-连续漏极电流 11.5A
通用封装 TO-263-2
应用等级 工业级

NCE70T360D厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE70T360D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE70T360D NCE70T360D数据手册

NCE70T360D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 2.3801
2400+ ¥ 2.3128
4800+ ¥ 2.2454
库存: 800
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 1904.08
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336