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NCE75TD120VTP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 833W 30V 4.5V 1.2KV 75A 9.393nF TO-247P
供应商型号: NCE75TD120VTP TO-247P
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE75TD120VTP

NCE75TD120VTP概述

    NCE75TD120VTP 1200V, 75A Trench FS II Fast IGBT 技术手册

    产品简介


    NCE75TD120VTP 是一款高性能的1200V, 75A 快速IGBT(绝缘栅双极晶体管),采用NCE公司特有的沟槽设计和先进的FS(场终止)第二代技术。它提供了卓越的导通和开关性能,并且具有正温度系数的VCE(sat),便于并联操作。适用于光伏电源系统、三电平太阳能串式逆变器及不间断电源系统等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压(VCES): 1200V
    - 门极-发射极电压(VGES): ±30V
    - 持续集电极电流(IC): 150A(在TC = 100°C时为75A)
    - 脉冲集电极电流(ICpuls): 300A(以最大结温限制)
    - 最大功率耗散(PD): 833W(在TC = 25°C时),417W(在TC = 100°C时)
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C至+175°C
    - 焊接最高温度(TL): 260°C
    - 热阻抗
    - 结到外壳热阻(RθJC,IGBT): 0.18°C/W
    - 结到外壳热阻(RθJC,二极管): 0.40°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA): 40°C/W
    - 静态特性
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CES): ≥1200V
    - 集电极-发射极漏电流(ICES): ≤400μA
    - 门极到发射极正向漏电流(IGES(F)): ≤200nA
    - 门极到发射极反向漏电流(IGES(R)): ≤200nA
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):
    - 在25°C时,典型值为1.70V
    - 在175°C时,典型值为1.95V
    - 门限电压(VGE(th)): 4.5V 至 6.0V
    - 动态特性
    - 输入电容(Cies): 最大9747pF
    - 输出电容(Coes): 最大327pF
    - 反转传输电容(Cres): 最大271pF
    - 总门极电荷(Qg): 最大572nC
    - 门极到发射极电荷(Qge): 最大69nC
    - 门极到集电极电荷(Qgc): 最大368nC
    - 开关特性
    - 开启延时时间(td(ON)): 最大19ns
    - 上升时间(tr): 最大17ns
    - 关断延时时间(td(OFF)): 最大170ns
    - 下降时间(tf): 最大18ns
    - 导通损耗(Eon): 最大5.6mJ
    - 关断损耗(Eoff): 最大2.7mJ
    - 总开关损耗(Ets): 最大8.3mJ

    产品特点和优势


    1. 低饱和电压:非常低的VCE(sat),有助于提高效率。
    2. 高速开关:快速开关特性,适用于高频应用。
    3. 正温度系数:正温度系数的VCE(sat),便于并联操作。
    4. 严格参数分布:参数分布紧凑,确保稳定性和一致性。
    5. 高鲁棒性:良好的鲁棒性和温度稳定性,适用于苛刻的应用环境。

    应用案例和使用建议


    NCE75TD120VTP 广泛应用于光伏电源系统、三电平太阳能串式逆变器及不间断电源系统。例如,在光伏电源系统中,该IGBT可以有效地处理高功率转换,同时保持高效能。建议在设计电路时,根据具体应用的需求选择合适的门电阻(RG)和散热措施,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    NCE75TD120VTP 具有与标准TO-247封装兼容的外形尺寸,可以方便地替换现有设计中的类似产品。NCE公司提供技术支持和售后服务,帮助客户解决设计过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动延迟时间过长
    - 解决方案:增加门电阻(RG),调整驱动电路的设计。
    2. 问题:散热不良导致温度过高
    - 解决方案:优化散热设计,如增加散热片或风扇,选择适当的散热策略。
    3. 问题:功率耗散超出额定值
    - 解决方案:确保在规定的最大结温范围内使用,考虑外部冷却装置。

    总结和推荐


    NCE75TD120VTP 是一款高度可靠的1200V, 75A 快速IGBT,适用于需要高效率和稳定性的应用场合。其卓越的导通和开关性能,加上严格的参数分布和高鲁棒性,使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐该产品用于光伏电源系统、三电平太阳能串式逆变器及不间断电源系统等领域。

NCE75TD120VTP参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.393nF
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V
Id-连续漏极电流 75A
最大功率耗散 833W
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-247P
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE75TD120VTP厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE75TD120VTP数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE75TD120VTP NCE75TD120VTP数据手册

NCE75TD120VTP封装设计

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