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NCE6080D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 90nC@ 10V 7mΩ@ 10V,20A 80A TO-263-2
供应商型号: NCE6080D TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE6080D

NCE6080D概述

    # NCE6080D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    NCE6080D 是无锡艾克赛尔半导体有限公司推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款产品采用了先进的沟槽工艺设计,提供了低通态电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的优良特性,适用于广泛的工业应用。
    主要功能
    - 电压范围:漏源电压 (VDS) 最大为 60V
    - 电流范围:连续漏极电流 (ID) 最大为 80A
    - 通态电阻:在 VGS=10V 条件下,通态电阻 RDS(ON) 小于 8.5mΩ
    应用领域
    - PWM 控制:适用于脉冲宽度调制电路
    - 负载开关:用于控制高功率负载的开关操作

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):80A
    - 连续漏极电流 (TC=100℃):56.5A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):320A
    - 最大功耗 (PD):110W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):390mJ
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ,TSTG):-55℃ 至 175℃
    热阻参数
    - 结到外壳热阻 (RθJC):1.36℃/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):在 VGS=0V,ID=250μA 条件下为 60V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):在 VDS=60V,VGS=0V 条件下为 1μA
    - 栅体漏电流 (IGSS):在 VGS=±20V,VDS=0V 条件下为 ±100nA
    - 栅阈电压 (VGS(th)):在 VDS=VGS,ID=250μA 条件下为 2~4V
    - 通态电阻 (RDS(ON)):在 VGS=10V,ID=20A 条件下为 7~8.5mΩ

    产品特点和优势


    特点
    - 低通态电阻:RDS(ON) < 8.5mΩ,适用于高效能应用
    - 高密度单元设计:提供超低导通电阻
    - 全面测试:雪崩电压和电流均已完全测试
    - 良好稳定性:具有高雪崩能量 (EAS)
    - 优秀的封装设计:有利于散热
    优势
    - 宽泛的应用范围:适用于多种工业控制和电力转换场合
    - 可靠性高:100% UIS 测试和 ΔVds 测试,确保产品的可靠性和一致性

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE6080D 适用于电源管理中的 PWM 控制和负载开关。例如,在直流-直流转换器中,它可以有效地管理高功率负载的开关操作,确保高效的能量转换。
    使用建议
    - 在使用时应注意避免超过额定参数,如漏源电压和连续漏极电流。
    - 为了保证散热效果,建议使用具有良好散热能力的 PCB 设计。

    兼容性和支持


    兼容性
    NCE6080D 采用 TO-263-2L 封装,可以方便地与其他标准元件进行组装和互换。
    支持
    无锡艾克赛尔半导体有限公司提供完善的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用产品并解决任何潜在问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品过热
    2. 电流不稳定
    解决方案
    1. 确保良好的散热:使用适当的散热措施,如加装散热片或使用散热性能更好的 PCB 设计。
    2. 检查接线和电路设计:确保所有连接正确无误,避免电流回路中的任何干扰。

    总结和推荐


    产品评估
    NCE6080D 是一款性能优越、可靠性和稳定性高的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它适用于广泛的应用场景,特别是在需要高效能和高稳定性的场合。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐使用 NCE6080D 在各种电力管理和控制系统中。对于寻求高效率和可靠性的工程师来说,这是一款不可或缺的优质选择。

NCE6080D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 10V,20A
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 80A
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 90nC@ 10V
通用封装 TO-263-2

NCE6080D厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE6080D数据手册

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NCE6080D封装设计

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