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NCE5080K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 105mW 20V 1.3V 65NC 1个N沟道 50V 6.4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,9(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 80mA 3.6nF@ 25V TO-252
供应商型号: 14M-NCE5080K TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE5080K

NCE5080K概述

    # NCE5080K 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    NCE5080K 是无锡芯能功率半导体有限公司推出的一款无铅产品,属于 N-沟道增强型功率 MOSFET。这种 MOSFET 采用先进的沟槽技术设计,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),适用于广泛的电子应用。
    主要功能
    - 提供极低的导通电阻(RDS(ON)):@ VGS=10V时小于7.5mΩ,@ VGS=4.5V时小于9mΩ。
    - 高密度单元设计:确保超低导通电阻。
    - 具有高雪崩电压和电流,保证良好的稳定性。
    - 采用优质封装,提供良好的散热性能。
    - 具有高静电放电(ESD)能力,可防止静电损坏。
    应用领域
    - 负载开关
    - 硬开关和高频电路
    - 不间断电源(UPS)
    - 各类电源管理模块

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压(VDS):50V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(ID):80A
    - 最大功率耗散(PD):100W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):400mJ
    - 结温和存储温度范围(TJ,TSTG):-55℃至175℃
    - 结温至外壳热阻(RθJC):1.5℃/W
    电气特性
    - 开启特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):50V(@ VGS=0V,ID=250μA)
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1μA(@ VDS=50V,VGS=0V)
    - 栅体漏电流(IGSS):±100nA(@ VGS=±20V,VDS=0V)
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.0~2.5V
    - 导通电阻(RDS(ON)):@ VGS=10V时<7.5mΩ,@ VGS=4.5V时<9mΩ
    - 前向转移导纳(gFS):20S(@ VDS=5V,ID=20A)
    - 动态特性
    - 输入电容(Clss):3600pF
    - 输出电容(Coss):340pF
    - 反向传输电容(Crss):230pF(@ VDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz)

    - 开关特性
    - 开启延迟时间(td(on)):12ns
    - 开启上升时间(tr):30ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):45ns
    - 关闭下降时间(tf):31ns(@ VDD=25V,RL=1Ω,VGS=10V,RG=3Ω)
    - 总栅极电荷(Qg):65nC
    - 栅源电荷(Qgs):13nC
    - 栅漏电荷(Qgd):20nC

    - 源极-漏极二极管特性
    - 二极管正向电压(VSD):1.2V(@ VGS=0V,IS=20A)
    - 反向恢复时间(trr):36ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):48nC(@ TJ=25℃,IF=20A,di/dt=100A/μs)

    产品特点和优势


    NCE5080K 在多个方面展示了卓越的性能,特别是在低导通电阻和优良的热性能上。其高密度单元设计确保了极低的导通电阻,能够在多种应用场景中表现出色。此外,其高 ESD 能力确保了可靠的操作,适合对可靠性要求较高的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE5080K 适用于负载开关、硬开关和高频电路等应用场景。例如,在不间断电源(UPS)系统中,其高功率处理能力和低导通电阻使得它在电池管理系统中非常适用。此外,其优秀的热性能也使其在恶劣环境中仍能保持稳定运行。
    使用建议
    - 确保电路设计合理,以避免过高的电流导致器件损坏。
    - 尽量减小寄生电感和电容的影响,以提高整体系统的开关速度。
    - 在实际应用中,应注意散热措施,特别是当工作在高温环境时,必须保证良好的散热条件。

    兼容性和支持


    兼容性
    NCE5080K 可以与大多数常用的 PCB 板材和封装工艺兼容,适用于各种工业标准电路板。此外,该产品还支持自动插件装配(AI),易于集成到现有设计中。
    支持
    无锡芯能功率半导体有限公司为其产品提供了全面的技术支持和服务,包括详细的技术文档、在线咨询、技术支持热线等。如有任何疑问或需要进一步的帮助,可以通过公司官网上的联系方式进行咨询。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:长时间高电流工作后,器件温度过高。
    - 解决方法: 加强散热措施,如使用散热片或风扇,并优化电路设计以减少功耗。

    2. 问题:器件在高频应用中表现不稳定。
    - 解决方法: 减少寄生电感和电容的影响,优化电路布局以提高整体的稳定性。

    总结和推荐


    综合评估
    NCE5080K 是一款高性能的 N-沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻、高密度单元设计和优良的热性能等特点。这些特性使其在多种应用场景中表现出色,特别适合于高频、高功率应用领域。
    推荐结论
    鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐使用 NCE5080K。无论是工业控制、电力转换还是其他相关领域,这款 MOSFET 都能提供可靠的性能和稳定的运行,是您的理想选择。

NCE5080K参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 65NC
Id-连续漏极电流 80mA
Rds(On)-漏源导通电阻 6.4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,9(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,
Vds-漏源极击穿电压 50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.6nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 105mW
通用封装 TO-252
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE5080K厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE5080K数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE5080K NCE5080K数据手册

NCE5080K封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.428
50+ ¥ 1.344
150+ ¥ 1.1995
1500+ ¥ 1.0066
2500+ ¥ 0.8738
75000+ ¥ 0.84
库存: 1661
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型号 价格(含增值税)
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