处理中...

首页  >  产品百科  >  NCEP02515K

NCEP02515K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140mW 8.9nC@ 10V 1个N沟道 250V 200mΩ@ 10V,15A 15mA TO-252
供应商型号: 31M-NCEP02515K
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP02515K

NCEP02515K概述

    NCEP02515K N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NCEP02515K 是无锡南车电子科技有限公司推出的一款高性能N沟道超级沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的超级沟槽技术,特别优化以提供高效的高频开关性能。这款器件具有极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg),显著减少了导通损耗和开关损耗,使其成为高频率开关应用和同步整流的理想选择。

    技术参数


    以下是NCEP02515K的关键技术参数:
    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):250V
    - 漏极连续电流(ID):15A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):60A
    - 最大功率耗散(PD):140W
    - 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 无铅镀层,适合回流焊工艺
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):250V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1µA
    - 输入电容(CISS):475pF
    - 输出电容(COSS):34pF
    - 反向转移电容(CRSS):1.2pF
    - 门限电压(VGS(th)):2.5V~4.5V
    - 导通电阻(RDS(ON)):200mΩ (典型值)
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)):4ns
    - 开启上升时间(tr):5ns
    - 关断延迟时间(td(off)):10ns
    - 关断下降时间(tf):2ns
    - 门极总电荷(Qg):8.9nC

    产品特点和优势


    - 高效开关性能:由于采用超级沟槽技术,该MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷乘积(FOM),使其成为高频率开关的理想选择。
    - 高温稳定性:能在高达175°C的工作温度下保持稳定性能,适用于恶劣环境下的应用。
    - 卓越的耐冲击能力:单脉冲雪崩能量(EAS)达到80mJ,保证在极端条件下仍能可靠运行。
    - 低噪声和高可靠性:通过优化设计降低噪声,提高系统的整体可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - LED背光驱动
    - 高频开关电源
    - 同步整流电路
    使用建议:
    - 在高频应用中,利用其低导通电阻和低栅极电荷,确保系统效率。
    - 考虑到高温工作环境,建议增加散热措施,以延长器件寿命。
    - 对于瞬态保护,可以考虑在电路中加入合适的缓冲电路,避免因尖峰电压损坏MOSFET。

    兼容性和支持


    NCEP02515K 器件与标准TO-252封装兼容,便于安装和替换。厂家提供全面的技术支持和服务,包括详细的设计指南和技术文档,帮助用户在设计过程中避免常见问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:系统过热,MOSFET温升过高。
    解决方案:增加散热片或散热风扇,改善散热条件。同时检查电路布局,确保器件周围有足够的空间进行自然对流。
    2. 问题:启动时出现不稳定现象。
    解决方案:确认驱动电路参数设置正确,特别是门极电阻(RG)的大小。必要时可以尝试增加驱动电压以增强驱动能力。
    3. 问题:长期使用后MOSFET失效。
    解决方案:检查电路是否存在短路或过载情况。确保电源供应稳定,不要超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    NCEP02515K 是一款出色的N沟道超级沟槽功率MOSFET,具备高效、高可靠性及宽工作温度范围等特点。它特别适合高频率开关应用和同步整流电路,尤其是在需要高性能和可靠性的LED背光驱动系统中表现尤为出色。尽管价格相对较高,但其优异的性能使其成为许多应用的理想选择。如果您正在寻找一款能够满足苛刻要求的高性能MOSFET,NCEP02515K无疑是一个值得考虑的选项。

NCEP02515K参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,15A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 140mW
配置 -
栅极电荷 8.9nC@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 15mA
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
应用等级 工业级

NCEP02515K厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP02515K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP02515K NCEP02515K数据手册

NCEP02515K封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.2
10+ ¥ 1.5909
30+ ¥ 1.45
100+ ¥ 1.16
500+ ¥ 1.051
1000+ ¥ 1
库存: 5000
起订量: 1 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336