处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE01P18D

NCE01P18D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 70nC@ 10V 85mΩ@ 10V,16A 18A TO-263-2
供应商型号: NCE01P18D TO-263-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE01P18D

NCE01P18D概述

    NCE01P18D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NCE01P18D 是无锡南车功率半导体有限公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计,旨在提供出色的 RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。该器件可以广泛应用于笔记本电脑电源管理、便携式设备和电池供电系统等多种场合。此外,该器件具有良好的静电放电(ESD)保护性能。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 (VDS):-100V
    - 漏电流(连续)(ID):-18A
    - 漏电流(连续)(TC=100℃):-12A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):170mJ
    - 最大功率耗散 (PD):70W
    - 热阻 (Junction-to-Case):2.14℃/W
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):≤ 100mΩ @ VGS=-10V(典型值:85mΩ)
    - 转移特性 (VGS(th)):-1V 到 -3V @ VDS=VGS, ID=-250μA
    - 动态特性(电容参数):
    - 输入电容 (Ciss):3810pF
    - 输出电容 (Coss):129pF
    - 反向传输电容 (Crss):125pF
    - 开关特性
    - 开启延时时间 (td(on)):16ns
    - 关断延时时间 (td(off)):34ns
    - 总栅极电荷 (Qg):70nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):15.5nC

    产品特点和优势


    - 高效能:先进的沟槽工艺技术确保了较低的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。
    - 可靠性:高密度单元设计增强了器件的可靠性。
    - 广泛的适用性:适用于多种电力管理和电池供电系统。
    - 良好的热稳定性:较高的最大功率耗散和较低的热阻使得该器件在高温环境下也能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    - 应用实例:
    - 笔记本电脑电源管理系统:该器件可以在高压环境下工作,确保了电源转换的高效性和可靠性。
    - 便携式设备:在小型设备中,该器件的小尺寸和低功耗使其成为理想选择。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,建议在设计电路时充分考虑热管理措施,以避免过热现象。
    - 使用时注意不要超过器件的最大额定电压和电流,以免损坏器件。
    - 在便携式设备中,考虑其工作温度范围(-55℃到175℃),确保设备的可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可以与其他标准封装的 P 沟道 MOSFET 兼容,例如 TO-263-2L 封装。
    - 技术支持:厂商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够正确安装和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何判断器件是否损坏?
    - A: 通过测量漏源电压和漏电流来检查器件的工作状态,如果发现异常,可能需要更换器件。
    - Q: 器件在高温环境下的表现如何?
    - A: 该器件的最大功率耗散为 70W,且具有良好的热稳定性。但在高温环境下工作时,仍需采取适当的散热措施,如使用散热片或风扇。

    总结和推荐


    NCE01P18D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,适合于各种电源管理和便携式设备的应用。其先进的工艺技术和可靠的热管理能力使其在高压和高功率应用中表现出色。我们强烈推荐使用这款器件,并建议在设计过程中充分考虑其电气特性和热管理要求。

NCE01P18D参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 10V,16A
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 70nC@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-263-2
应用等级 工业级

NCE01P18D厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE01P18D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE01P18D NCE01P18D数据手册

NCE01P18D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 2.563
库存: 0
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336