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NCE65T900F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 29.8W 30V 3.5V 10.5nC@ 10V 1个N沟道 650V 900mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 5A TO-220F-3
供应商型号: 14M-NCE65T900F TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE65T900F

NCE65T900F概述

    NCE65T900D/NCE65T900/NCE65T900F — N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

    1. 产品简介


    产品类型:
    NCE65T900D/NCE65T900/NCE65T900F 是一种先进的N沟道超级结功率MOSFET器件,专为高电压和低导通电阻设计。
    主要功能:
    这些器件采用先进的沟槽栅极超级结技术,提供极低的导通电阻和低栅极电荷,适合于AC-DC电源转换、功率因数校正(PFC)及工业电源应用。
    应用领域:
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | NCE65T900 | NCE65T900D | NCE65T900F | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 650 | 650 | 650 | V |
    | 零门压漏电流 | IDSS | 1 @ TC=25℃ | 1 @ TC=25℃ | 50 @ TC=125℃ | μA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | ±100 | ±100 | ±100 | nA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 3 | 3 | 4 | V |
    | 导通状态电阻 | RDS(ON) | 750 @ VGS=10V, ID=2.5A | 900 @ VGS=10V, ID=2.5A | 750 @ VGS=10V, ID=2.5A | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | 370 @ VDS=50V, VGS=0V, f=1.0MHz | 370 @ VDS=50V, VGS=0V, f=1.0MHz | 370 @ VDS=50V, VGS=0V, f=1.0MHz | pF |
    | 输出电容 | Coss | 25 | 25 | 25 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 0.5 | 0.5 | 0.5 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 10.5 @ VDS=480V, ID=5A, VGS=10V | 15 @ VDS=480V, ID=5A, VGS=10V | 10.5 @ VDS=480V, ID=5A, VGS=10V | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 新技术: 高压设备的新技术,提高稳定性。
    - 低导通电阻和低损耗: 极低的导通电阻减少了功率损耗。
    - 小封装: 节省空间,适用于紧凑设计。
    - 低栅极电荷: 降低了驱动要求,简化电路设计。
    - 全雪崩测试: 确保在恶劣条件下的可靠性。
    - 符合RoHS标准: 环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - PFC电路中用于功率因数校正。
    - 开关模式电源中作为主开关管。
    - UPS系统中的关键组件。
    使用建议:
    - 在PFC电路中,确保MOSFET工作在额定电流范围内,以减少发热并延长寿命。
    - 在高温环境下使用时,需考虑散热措施,以保持良好的工作性能。
    - 设计时应注意电路布局,避免过长的引线以减少杂散电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - NCE65T900系列与常见的AC-DC转换器和SMPS系统兼容。
    支持:
    - NCE公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET过热 | 改进散热设计,如添加散热片或风扇。 |
    | 开关频率过高导致失效 | 减少开关频率,优化电路布局。 |
    | 系统不稳定 | 检查栅极驱动信号是否稳定,调整驱动电阻。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NCE65T900系列MOSFET以其高可靠性、低损耗和先进的技术特性脱颖而出,非常适合应用于需要高效率和稳定性的场合。
    推荐:
    强烈推荐在高性能的AC-DC电源转换器和PFC系统中使用NCE65T900系列MOSFET。其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为行业内的优选产品。

NCE65T900F参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 10.5nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
最大功率耗散 29.8W
通用封装 TO-220F-3
应用等级 工业级

NCE65T900F厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE65T900F数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE65T900F NCE65T900F数据手册

NCE65T900F封装设计

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