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NCE8205i

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 9.5nC@ 4.5V 20V 18mΩ@ 4.5V,5A 5mA TSSOP-8
供应商型号: NCE8205I TSSOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE8205i

NCE8205i概述

    NCE8205i N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    NCE8205i 是无锡市耐驰电子有限公司生产的无铅环保型N沟道增强型功率MOSFET。这款电子元器件利用先进的沟槽技术提供低导通电阻(RDS(ON)),支持最低2.5V的门极电压,并具有高功率处理能力和电流承载能力。其典型应用包括电池保护、负载开关和电源管理等领域。

    技术参数


    以下是NCE8205i的主要技术规格:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 持续漏电流 \( ID \): 5A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 25A(重复脉冲宽度受最大结温限制)
    - 最大耗散功率 \( PD \): 1.25W
    - 绝对最大额定温度:结温和存储温度范围 \( T{J,TSTG} \): -55°C 至 150°C
    - 热阻(结到环境) \( R{\theta JA} \): 100°C/W
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - \( V{GS}=2.5V \): 最小值 22mΩ,最大值 32mΩ
    - \( V{GS}=4.5V \): 最小值 18mΩ,最大值 24mΩ
    - 门阈电压 \( V{GS(th)} \): 0.5V 至 1.2V
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 550pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 125pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 最大值 64pF
    - 开关特性:
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \): 最大值 9ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \): 最大值 32ns
    - 总门电荷 \( Qg \): 最大值 9.5nC
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 最大值 2.1nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \): 最大值 1.4nC
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \): 0.8V 至 1.2V

    产品特点和优势


    NCE8205i 具有以下几个显著特点和优势:
    - 使用先进的沟槽技术,提供了较低的导通电阻,使其在低电压下也能高效运行。
    - 低门电荷使得在高速开关应用中表现出色。
    - 能够处理高达5A的持续电流,适用于高电流应用场景。
    - 表面贴装封装,便于自动化生产和安装。
    - 高可靠性,适用于电池保护、负载开关和电源管理等领域。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册,NCE8205i 常用于电池保护、负载开关和电源管理等领域。具体使用建议如下:
    - 在电池保护电路中,可以作为过流保护开关使用。
    - 在负载开关中,可以用作控制负载电流的关键部件。
    - 在电源管理电路中,可以作为电源通断的开关组件。
    - 设计时应注意避免超过其绝对最大额定值,以确保长期可靠运行。
    - 为了优化性能,在设计时考虑降低开关损耗和提高散热效率。

    兼容性和支持


    NCE8205i 具有标准的TSSOP-8封装,易于与其他标准元器件兼容。制造商提供详细的技术支持文档,并为客户提供技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过载时器件发热严重。
    - 解决方案: 检查散热措施,如添加散热片或改善PCB散热设计。
    - 问题2: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保门极驱动信号稳定,必要时可增加去耦电容。
    - 问题3: 二极管正向电压过高。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保正确的门极电压设置,优化负载条件。

    总结和推荐


    NCE8205i 是一款性能优良的N沟道增强型功率MOSFET,特别适合于需要低导通电阻和高电流承载能力的应用。凭借其先进的沟槽技术和高效能的电气特性,它在电池保护、负载开关和电源管理等领域具有显著的优势。综上所述,强烈推荐在相关应用中使用此产品。

NCE8205i参数

参数
Id-连续漏极电流 5mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 9.5nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 4.5V,5A
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TSSOP-8
应用等级 工业级

NCE8205i厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE8205i数据手册

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NCE8205i封装设计

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