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NCEP050N85D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140mW 1个N沟道 85V 115mA TO-263
供应商型号: NCEP050N85D TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP050N85D

NCEP050N85D概述

    # NCEP050N85 和 NCEP050N85D 技术手册:N-Channel Super Trench II 功率 MOSFET

    产品简介


    NCEP050N85 和 NCEP050N85D 是无锡NCE Power有限公司生产的一系列 N-Channel Super Trench II 功率 MOSFET。这些器件采用独特的Super Trench II技术,旨在提供高效的高频开关性能。它们特别适用于高频开关和同步整流应用。此系列产品包括两个封装形式:TO-220 和 TO-263。

    技术参数


    基本电气参数
    - 漏源电压 (VDS):85 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):120 A (TC=25℃)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):480 A
    - 最大功率耗散 (PD):160 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):650 mJ
    温度范围
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 175°C
    热阻参数
    - 结到外壳热阻 (RθJC):0.94 °C/W
    开关特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):典型值为4.7 mΩ(TO-220)和4.5 mΩ(TO-263)@ VGS=10V
    - 输入电容 (Ciss):3900 pF
    - 输出电容 (Coss):650 pF
    - 反向传输电容 (Crss):27 pF @ VDS=40V, VGS=0V, F=1.0 MHz
    - 总栅极电荷 (Qg):70 nC
    动态特性
    - 导通延时时间 (td(on)):20 ns
    - 导通上升时间 (tr):59 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):39 ns
    - 关断下降时间 (tf):11 ns

    产品特点和优势


    - 高效高频开关:Super Trench II技术有效降低导通和开关损耗,使产品在高频环境下表现出色。
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):典型值4.7 mΩ(TO-220)和4.5 mΩ(TO-263),提供极低的导通损耗。
    - 高耐温能力:工作温度范围宽至175°C,适合严苛的工作环境。
    - 铅-Free环保:符合RoHS标准,无铅镀层,确保环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:适合于高频DC/DC转换器,实现高效能的电压转换。
    - 同步整流:在高频电源设计中用于同步整流,提高效率和减少热量产生。
    使用建议
    - 散热管理:为了防止过热,需要良好的散热设计。推荐使用大散热片或者散热器以提高热交换效率。
    - 驱动电路设计:建议使用合适的栅极电阻 (RG) 来控制开关速度,减少开关损耗。
    - 保护电路:为避免损坏,在设计时需考虑增加过压保护和短路保护电路。

    兼容性和支持


    - 封装和引脚:提供TO-220和TO-263两种封装形式,方便不同应用场合的选择。
    - 技术支持:制造商提供了详尽的技术手册和应用指南,为用户提供技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温下工作电流减小。
    - 解决方案:使用散热片或者风扇进行有效的散热管理,以维持正常工作电流。

    2. 问题:开关过程中存在异常噪音。
    - 解决方案:检查并优化驱动电路设计,确保合适的栅极电阻和合适的门极驱动信号。
    3. 问题:栅极泄漏电流超标。
    - 解决方案:确保正确的焊接和装配工艺,避免引脚损坏导致的漏电现象。

    总结和推荐


    NCEP050N85 和 NCEP050N85D 是适用于高频开关和同步整流的理想选择。其卓越的高频性能、低导通电阻、高耐温能力和环保设计使其在市场上具备较高的竞争力。虽然存在一些潜在的使用挑战,但通过合理的应用设计和良好的散热管理,可以充分发挥其优势。因此,强烈推荐将此产品应用于需要高性能、高可靠性的电力电子系统中。

NCEP050N85D参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 85V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 140mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 115mA
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263

NCEP050N85D厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP050N85D数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP050N85D NCEP050N85D数据手册

NCEP050N85D封装设计

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