处理中...

首页  >  产品百科  >  NCEP040N12

NCEP040N12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 245mW 1个N沟道 120V 150mA TO-220
供应商型号: NCEP040N12 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP040N12

NCEP040N12概述

    # NCEP040N12/NCEP040N12D N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP040N12/NCEP040N12D 是无锡能基电子有限公司生产的 N-Channel Super Trench II 功率 MOSFET。这些器件采用 Super Trench II 技术,优化了高频率开关性能。它们在高频开关和同步整流应用中表现出色,适合于各种直流/直流转换器等应用场合。

    技术参数


    以下是 NCEP040N12/NCEP040N12D 的关键技术参数:
    - 电压等级:VDS = 120V
    - 连续电流:ID = 150A(TC=100℃时为108A)
    - 脉冲电流:IDM = 600A
    - 最大功率耗散:PD = 245W
    - 结到壳热阻:RθJC = 0.61℃/W
    - 关断特性:
    - 漏源击穿电压 BVDSS = 120V
    - 零栅压漏电流 IDSS ≤ 1μA
    - 栅体漏电流 IGSS ≤ ±100nA
    - 导通特性:
    - 门限电压 VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
    - 导通电阻 RDS(ON) = 3.5mΩ (TO-220) @ VGS=10V, ID=75A; 3.3mΩ (TO-263) @ VGS=10V, ID=75A
    - 动态特性:
    - 输入电容 CISS ≤ 8760pF
    - 输出电容 COSS ≤ 620pF
    - 反向传输电容 CRSS ≤ 70pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 td(on) ≤ 25ns
    - 关闭延迟时间 td(off) ≤ 52ns
    - 关断下降时间 tf ≤ 17ns
    - 反向恢复时间:trr ≤ 74ns
    - 反向恢复电荷:Qrr ≤ 164nC
    - 最高工作温度:TJ = 175℃

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) = 3.5mΩ (TO-220) 和 3.3mΩ (TO-263),使得功率损耗极低。
    - 高可靠性:100% UIS测试和∆Vds测试通过,确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 宽工作温度范围:-55℃至175℃,适应恶劣环境。
    - 超快开关速度:开关时间和延迟时间均极短,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:NCEP040N12/NCEP040N12D 可用于高频开关和同步整流,提升转换效率。
    - 服务器电源:在数据中心中,用于提高电源转换效率,降低能耗。
    使用建议
    - 在使用过程中应注意不要超过最大额定值,特别是在高温环境下使用时。
    - 适当增加散热措施,确保产品在高温环境下的稳定运行。
    - 注意电路设计,确保合理的栅极驱动电阻以避免过高的栅极电压,保护 MOSFET 免受损害。

    兼容性和支持


    NCEP040N12/NCEP040N12D 支持多种封装形式(TO-220 和 TO-263),方便不同应用场景的选用。无锡能基电子有限公司提供完善的技术支持和售后服务,确保客户能够获得最佳的产品体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问:长时间工作时如何保证稳定性?
    - 答:选择适当的散热措施,如使用散热片或散热风扇,并确保电路设计合理,避免过载。
    2. 问:如何正确选择栅极驱动电阻?
    - 答:根据负载特性和电路要求,选择合适的栅极驱动电阻以确保 MOSFET 工作在安全范围内。
    3. 问:长时间存储温度过高会影响器件性能吗?
    - 答:存储温度不宜超过175℃,长期在高温下存储可能影响器件寿命和性能。请按照制造商的建议进行存放。

    总结和推荐


    NCEP040N12/NCEP040N12D 是一款优秀的 N-Channel Super Trench II 功率 MOSFET,具有出色的导通电阻、高可靠性和宽工作温度范围。适用于多种高频开关应用,如 DC/DC 转换器和服务器电源。尽管价格较高,但其优异的性能和高可靠性使其成为市场上值得推荐的产品。

NCEP040N12参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 120V
最大功率耗散 245mW
Id-连续漏极电流 150mA
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

NCEP040N12厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP040N12数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP040N12 NCEP040N12数据手册

NCEP040N12封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 5.709
库存: 0
起订量: 50 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504