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NCE70T1K2K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 41W 30V 3.5V 8.8nC@ 10V 1个N沟道 700V 1.3Ω(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 4A TO-252
供应商型号: NCE70T1K2K TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE70T1K2K

NCE70T1K2K概述

    # NCE70T1K2K/NCE70T1K2I N-Channel Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    NCE70T1K2K/NCE70T1K2I 是无锡纳微科技有限公司(Wuxi NCE Power Co., Ltd)推出的一款高性能N沟道超结功率MOSFET III系列器件。该系列产品采用先进的深沟槽栅极超级结技术,旨在提供出色的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷。这些器件广泛适用于电源管理系统的功率因数校正(PFC)、交流/直流转换器以及工业电力应用。
    主要功能
    - 新型高压器件技术
    - 低导通电阻和低传导损耗
    - 小巧封装
    - 极低的栅极电荷
    - 完全的雪崩测试
    - 符合RoHS标准
    应用领域
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 常规值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 700 | V |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(ON) | 1100 | mΩ |
    | 连续漏极电流(Tc=25°C) | ID(DC) | 4 | A |
    | 连续漏极电流(Tc=100°C) | ID(DC) | 2.5 | A |
    | 脉冲漏极电流(非重复) | IDM(pluse) | 16 | A |
    | 最大耗散功率(Tc=25°C) | PD | 41 | W |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | 27 | mJ |
    | 雪崩电流 | IAR | 0.7 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | 0.1 | mJ |
    | 热阻,结至外壳(最大) | RthJC | 3.0 | °C/W |
    | 热阻,结至环境(最大) | RthJA | 62 | °C/W |

    产品特点和优势


    NCE70T1K2K/NCE70T1K2I 系列产品具有诸多独特功能和优势,使其在多种电力应用中表现出色:
    - 新高压器件技术:利用先进的深沟槽栅极超级结技术,保证卓越的性能。
    - 低导通电阻和低传导损耗:确保高效能源转换,降低热耗散。
    - 小封装:节省空间,便于安装。
    - 极低的栅极电荷:减少驱动功耗,提高效率。
    - 100%雪崩测试:确保高可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS标准:环保无污染。

    应用案例和使用建议


    NCE70T1K2K/NCE70T1K2I 广泛应用于PFC电路、开关电源和不间断电源系统。在实际使用中,需要注意以下几点以优化性能:
    - 散热管理:由于功率耗散较高,务必做好散热设计,避免过温导致的可靠性问题。
    - 驱动电路设计:选择合适的驱动电路和门极电阻,以优化开关时间和降低功耗。
    - 布局设计:合理规划PCB布局,减少杂散电感和电容,提高整体性能。

    兼容性和支持


    NCE70T1K2K/NCE70T1K2I 可以与其他标准N沟道MOSFET并联使用,适用于多种应用场景。厂商提供详尽的技术支持文档和售后保障服务,帮助用户解决问题并提高应用效率。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何处理过温报警?
    - A:检查散热措施,确保良好的散热设计。增加散热片或风扇,优化PCB布局以降低热点。

    2. Q:开关时间过长怎么办?
    - A:调整驱动电路中的门极电阻,选择合适的驱动电压和频率,优化MOSFET的开关特性。

    3. Q:在高温环境下出现不稳定现象?
    - A:检查并改进散热设计,确保器件温度不超过最大额定值。

    总结和推荐


    综上所述,NCE70T1K2K/NCE70T1K2I 系列N沟道超结功率MOSFET在PFC、开关电源和不间断电源等领域表现优异。其出色的导通电阻和低栅极电荷,以及可靠的设计使其成为这些应用的理想选择。强烈推荐给需要高效能电力管理解决方案的工程师和设计师。

NCE70T1K2K参数

参数
栅极电荷 8.8nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 41W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
通用封装 TO-252

NCE70T1K2K厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE70T1K2K数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE70T1K2K NCE70T1K2K数据手册

NCE70T1K2K封装设计

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