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NCE3035G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40mW 20V 1.6V 1个N沟道 30V 5.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,9.5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 35mA DFN-5 贴片安装
供应商型号: NCE3035G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE3035G

NCE3035G概述

    # NCE3035G 电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    NCE3035G 是无锡 NCE Power 公司推出的无铅 Pb-Free 功率 MOSFET 产品,采用先进的沟槽技术设计,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和较低的门电荷。其设计旨在为各种应用提供卓越的性能,如二次侧同步整流和 POL DC/DC 转换器中的高侧开关。
    主要功能和应用领域
    - 功能: 提供高效的电源转换,支持低至 4.5V 的门极驱动电压。
    - 应用领域:
    - 二次侧同步整流器。
    - POL DC/DC 转换器中的高侧开关。

    2. 技术参数


    以下是 NCE3035G 的关键技术参数表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | 30 | 33 | V |
    | 零门极漏电流 | IDSS | - | - | 1 | µA |
    | 门体漏电流 | IGSS | - | ±100 | nA |
    | 开启特性
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 1.6 | 3 | V |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(ON) | - | 5.9 | 7.0 | mΩ |
    | 导通电阻(VGS=4.5V)| RDS(ON) | - | 8.9 | 12.0 | mΩ |
    | 动态特性
    | 输入电容 | CISS | - | 2330 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 460 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | - | 230 | pF |
    | 门电荷 | QG | - | 45 | nC |
    其他参数还包括绝对最大额定值、热阻抗、浪涌能量(EAS)等,详见产品手册。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 超低导通电阻: RDS(ON) 在典型值下仅为 5.9 mΩ @ VGS=10V 和 8.9 mΩ @ VGS=4.5V,能够显著降低功耗。
    - 高鲁棒性: 支持浪涌电压下的全雪崩测试(100% UIS TESTED!),具备良好的雪崩能力和稳定性。
    - 优良散热设计: 封装结构提供了优异的热耗散性能。
    - 高静电放电保护能力: 特殊工艺提高了产品的 ESD 能力。
    市场竞争力
    - 适用于需要高效能、高可靠性的应用场景,特别是在功率转换和开关电源领域具有明显优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 同步整流: NCE3035G 可用于高频 AC/DC 或 DC/DC 转换器中,显著提高转换效率。
    - POL DC/DC 转换器: 作为高侧开关,支持快速响应和低损耗。
    使用建议
    - 电路优化: 在使用时确保门极驱动电压满足最低要求(如 VGS≥4.5V),以保证最佳导通性能。
    - 热管理: 使用良好的散热措施,避免过热影响器件寿命。
    - 测试验证: 定期进行浪涌电流及短路条件下的可靠性测试。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NCE3035G 采用标准的 DFN5x6 封装,易于与其他主流器件集成。
    - 技术支持: NCE Power 提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. Q: RDS(ON) 明显偏高
    A: 检查 VGS 是否低于推荐值(4.5V 或更高)。

    2. Q: 短时间高温导致性能下降
    A: 改善热管理系统,增加散热片或调整工作频率。
    3. Q: EAS 测试未通过
    A: 增加驱动电阻 Rg 或减少电路的 L 值。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NCE3035G 是一款性能卓越的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET,具有以下优点:
    - 极低的导通电阻(RDS(ON)),适合高性能应用。
    - 高雪崩耐受能力,提升系统可靠性。
    - 集成化封装设计便于安装和使用。
    推荐结论
    总体而言,NCE3035G 是在同步整流和 POL DC/DC 转换器中表现优秀的电子元器件,非常值得推荐。尤其适用于追求效率与稳定性的工业及消费类电子设计。
    最终评分:9.0/10
    版权说明
    本文件由 NCE Power Semiconductor CO., LTD. 提供,未经授权禁止复制或传播。有关更多详细信息,请参考 [NCE Power 官方网站](http://www.ncepower.com)。

NCE3035G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,9.5(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,
最大功率耗散 40mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 35mA
通用封装 DFN-5
安装方式 贴片安装

NCE3035G厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE3035G数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE3035G NCE3035G数据手册

NCE3035G封装设计

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