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NCE65TF180T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 188mW 36nC@ 10V 1个N沟道 650V 160mΩ@ 10V,10.5A 21mA TO-247
供应商型号: NCE65TF180T TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE65TF180T

NCE65TF180T概述


    产品简介


    NCE65TF180T 是无锡英飞凌科技有限公司生产的 N-Channel 超级结功率 MOSFET III 型器件。这种器件采用先进的沟槽栅超级结技术,以提供出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。NCE65TF180T 主要应用于工业领域的交流-直流开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和 LLC 半桥拓扑结构。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 160mΩ
    - 连续漏极电流 (ID): 21A @ TC=25℃,13.2A @ TC=100℃
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 84A
    - 最大功耗 (PD): 188W @ TC=25℃,之后每增加1°C,减少1.5W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 441mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR): 0.7mJ
    - 结至壳热阻 (RthJC): 0.66°C/W
    - 结至环境热阻 (RthJA): 62.5°C/W
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 2μA @ TC=25℃,100μA @ TC=125℃
    - 栅极泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 输入电容 (Clss): 2250pF @ VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz
    - 输出电容 (Coss): 83pF
    - 反向传输电容 (Crss): 1.6pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 36nC
    - 栅极延迟时间 (td(on)): 11ns
    - 栅极上升时间 (tr): 6ns
    - 栅极关断延迟时间 (td(off)): 61ns
    - 栅极关断下降时间 (tf): 4.5ns
    - 源-漏二极管正向电流 (ISD): 21A @ TC=25℃
    - 二极管恢复时间 (trr): 160ns @ Tj=25℃, IF=21A, di/dt=100A/μs
    - 二极管恢复电荷 (Qrr): 1.4μC

    产品特点和优势


    NCE65TF180T 具有多项显著优势,使其成为现代电力转换应用的理想选择。这些优势包括:
    - 优化的体二极管反向恢复性能:确保快速和无损耗的开关操作。
    - 低导通电阻和低传导损耗:提升整体能效,降低运行成本。
    - 超低栅极电荷:减少驱动需求,降低整体能耗。
    - 100% 雪崩测试:确保在极端条件下的可靠性。
    - RoHS 符合:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    NCE65TF180T 在多种应用场合中表现出色,如 PFC、SMPS 和 UPS 等。具体应用案例和使用建议如下:
    - PFC 应用:在高效率要求的应用中,如开关电源,可充分利用其低导通电阻和高耐压能力。
    - SMPS 应用:在需要快速开关性能和高可靠性的情况下,可以考虑使用该器件。
    - UPS 应用:为保障不间断供电系统的高效运行,选用具备优良热管理和高可靠性特征的产品尤为重要。
    使用建议:
    - 选择合适的散热器:确保在高温环境下能够有效散热,以保持器件的性能。
    - 考虑工作环境温度:了解器件的工作温度范围,避免超出规定范围使用。
    - 注意电路布局:合理设计 PCB 布局,减少寄生效应的影响。

    兼容性和支持


    NCE65TF180T 支持广泛的工业标准接口,与其他主流 MOSFET 器件具有良好的互换性。厂家提供详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于设计咨询、故障诊断及返修服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何判断器件是否处于过载状态?
    - A:通过测量器件的功耗来评估,如果超过规定的最大值,可能需要采取散热措施或减小负载。
    2. Q:如何避免栅极震荡?
    - A:在驱动电路中添加合适的缓冲电路,如 RC 滤波器。
    3. Q:器件出现异常发热怎么办?
    - A:检查散热装置是否正常工作,确认没有过多的寄生电感和电容存在。

    总结和推荐


    综上所述,NCE65TF180T 是一款专为高性能电力转换应用设计的 N-Channel Super Junction Power MOSFET。其卓越的电气特性和可靠的设计使其在众多领域展现出显著优势。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电力转换应用中使用此器件。

NCE65TF180T参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 10V,10.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 36nC@ 10V
最大功率耗散 188mW
Id-连续漏极电流 21mA
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-247

NCE65TF180T厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE65TF180T数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE65TF180T NCE65TF180T数据手册

NCE65TF180T封装设计

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