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NCEP060N10G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 115mW 1个N沟道 100V 100mA DFN-5
供应商型号: NCEP060N10G PDFN-8(5X5.8)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP060N10G

NCEP060N10G概述

    NCEP060N10G N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCEP060N10G 是由无锡南车功率半导体有限公司生产的N-Channel Super Trench II 功率MOSFET。这类器件采用Super Trench II 技术,特别优化以提供高效的高频开关性能。主要应用于高频率开关和同步整流,如DC/DC转换器。

    2. 技术参数


    - 电压等级
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 最大脉冲漏极电流 (IMD): 400 A
    - 最大功耗 (PD): 115 W
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 620 mJ
    - 电流参数
    - 漏极电流(连续) (ID): 100 A
    - 漏极电流(连续,TC=100℃) (ID (100℃)): 72 A
    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): 5.4 mΩ (典型值,@VGS=10V)

    - 温度范围
    - 操作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 150°C
    - 电气特性
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 100 V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 开启特性
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.0 至 4.0 V
    - 动态特性
    - 输入电容 (CISS): 3200 pF
    - 输出电容 (COSS): 360 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 18 pF
    - 开关特性
    - 导通延迟时间 (td(on)): 20 ns
    - 开关上升时间 (tr): 59 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 39 ns
    - 关断下降时间 (tf): 11 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 74 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效开关性能:结合了极低的RDS(ON)和Qg,保证了卓越的高频开关性能。
    - 低导通电阻:典型的RDS(ON)为5.4 mΩ,有效降低损耗。
    - 宽温操作:能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作。
    - 环保材料:采用无铅镀层,符合环保要求。
    - 全面测试:通过100% UIS和ΔVds测试,确保可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 作为DC/DC转换器中的核心器件,提高转换效率。
    - 适用于高频开关和同步整流场合。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到高频工作的需求,选择合适的驱动电阻 (RG) 以优化开关速度。
    - 确保散热良好,避免长时间过载工作,以免温度过高导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 与多种标准电路设计和布局兼容。
    - 推荐使用FR4板材焊接,单次脉冲耐受时间为10秒内。
    - 支持和维护:
    - 提供详细的技术文档和专业技术支持,帮助用户解决问题。
    - 客户可以根据需要联系当地销售代表获取更多支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作时,功耗过高。
    - 解决方案:使用散热器或其他冷却措施,确保散热良好。
    - 问题2:开关时间过长。
    - 解决方案:检查并调整栅极电阻 (RG),确保适当的驱动信号。
    - 问题3:出现瞬时过压现象。
    - 解决方案:增加外部保护电路,如瞬态电压抑制器 (TVS)。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCEP060N10G MOSFET是一款高性能、可靠性高的器件,适合于高频率开关和同步整流的应用。其优异的高频性能、低导通电阻以及广泛的温度适应性使其在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐给需要高性能、高效能电源管理解决方案的工程师和设计师。
    请注意,本手册所提供的所有信息仅适用于独立状态下的器件,具体装入客户产品或设备后的性能、特性和功能需要经过客户自行验证和测试。

NCEP060N10G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100mA
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 115mW
通用封装 DFN-5

NCEP060N10G厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP060N10G数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP060N10G NCEP060N10G数据手册

NCEP060N10G封装设计

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