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NCE1570

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 310mW 20V 3V 148.4nC@ 10V 1个N沟道 150V 18mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 70mA TO-220
供应商型号: 14M-NCE1570
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE1570

NCE1570概述

    # NCE1570 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE1570 是无锡南车微电子有限公司推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,能够提供低导通电阻(RDS(ON))并具有较低的栅极电荷。该产品广泛应用于电源转换和高频电路设计中,例如不间断电源(UPS)、硬开关电路以及各种功率切换应用。

    技术参数


    以下是 NCE1570 的主要技术参数和性能指标:
    基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 150V
    - 连续漏电流 (ID): 70A (TC=25℃)
    - 连续漏电流 (TC=100℃): 49.5A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 280A
    - 最大功耗 (PD): 310W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 210mJ
    极限参数
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 结温 (TJ, TSTG): -55℃ 到 175℃
    电气特性
    - 击穿电压 (BVDSS): 150V (VGS=0V, ID=250μA)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 1μA (VDS=150V, VGS=0V)
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2V 至 4V (VDS=VGS, ID=250μA)
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 14mΩ 至 18mΩ (VGS=10V, ID=20A)
    - 输入电容 (CISS): 6644pF
    - 输出电容 (COSS): 243pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 178pF (VDS=75V, VGS=0V, F=1.0MHz)
    动态特性
    - 开启延时时间 (td(on)): 28ns
    - 开启上升时间 (tr): 30ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 95ns
    - 关闭下降时间 (tf): 40ns (VDD=75V, RL=15Ω, VGS=10V, RG=2.5Ω)
    - 总栅极电荷 (Qg): 148.4nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 28.4nC
    - 栅极与漏极电荷 (Qgd): 49.8nC (VDS=75V, ID=20A, VGS=10V)
    二极管特性
    - 正向二极管电压 (VSD): 1.2V (VGS=0V, IS=20A)
    - 正向二极管电流 (IS): 70A
    - 反向恢复时间 (trr): 40ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 66nC (TJ = 25°C, IF = 20A, di/dt = 100A/μs)

    产品特点和优势


    NCE1570 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)): 在 VGS=10V 下小于 18mΩ,适用于需要高效能转换的应用。
    - 高密度单元设计: 保证了超低的 RDS(ON),提高了整体效率。
    - 全面的雪崩电压和电流特性: 确保了产品的可靠性。
    - 优秀的热阻特性: 能够有效散热,确保长期稳定运行。
    - ESD保护能力: 特殊工艺技术提供了更高的抗静电能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换应用: 适用于要求低损耗和高效率的电源系统。
    - 硬开关和高频电路: 在高频开关电路中表现出色。
    - 不间断电源 (UPS): 适用于需要高可靠性的电源备份系统。
    使用建议
    - 电路设计: 设计时需考虑热管理,以避免过热导致性能下降。
    - 匹配驱动电路: 配合适当的栅极驱动电路可以减少开关损耗。
    - 合理布局: PCB 布局要合理,减少寄生电感,提高整体性能。

    兼容性和支持


    NCE1570 与其他常见的 MOSFET 驱动芯片兼容,例如 IR2110、UC3842 等。无锡南车微电子有限公司提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确选择散热片?
    - 解决方案: 选择合适的散热片,并根据额定温度降额曲线进行计算。注意不要超过最高结温限制。
    问题2:如何降低开关损耗?
    - 解决方案: 优化驱动电路,选择合适的栅极电阻 (RG),并尽量减小寄生电感的影响。
    问题3:如何检测 EAS 是否满足应用需求?
    - 解决方案: 通过测试电路进行重复雪崩测试,确保 EAS 值满足应用要求。

    总结和推荐


    NCE1570 是一款非常适合于电源转换和高频电路设计的高性能 MOSFET。它具有低导通电阻、高密度单元设计和良好的热稳定性,非常适合用于高可靠性的电源系统中。强烈推荐使用此产品,尤其是对于需要高效能转换和高可靠性的应用。

NCE1570参数

参数
栅极电荷 148.4nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
最大功率耗散 310mW
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 70mA
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 150V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
应用等级 工业级
包装方式 管装

NCE1570厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE1570数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE1570 NCE1570数据手册

NCE1570封装设计

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