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NCEP026N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300mW 1个N沟道 100V 200mA TO-220
供应商型号: NCEP026N10 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP026N10

NCEP026N10概述

    # NCEP026N10/NCEP026N10D N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCEP026N10/NCEP026N10D 是无锡南车电力半导体有限公司(NCE Power)生产的一款N沟道超深槽II代功率MOSFET。此系列产品采用Super Trench II技术,具有卓越的高频开关性能。它在各种DC/DC转换器和其他需要高频开关的应用中表现优异,例如同步整流。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 100V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 200A
    - 最大耗散功率 \(PD\): 300W
    - 热阻 \(R{\theta JC}\): 0.5℃/W
    - 热阻 \(R{\theta JA}\): 60℃/W
    关断特性
    - 漏源击穿电压 \(BVDSS\): 100V
    - 零栅源漏电流 \(IDSS\): 1μA
    - 栅体漏电流 \(IGSS\): ±100nA
    导通特性
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2.0~4.0V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(ON)}\):
    - TO-220封装:典型值为2.4mΩ (10V栅压下)
    - TO-263封装:典型值为2.2mΩ (10V栅压下)
    动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 17500PF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 1100PF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 50PF
    - 开关时间:
    - 开启延时时间 \(td(on)\): 34ns
    - 开启上升时间 \(tr\): 27ns
    - 关闭延时时间 \(td(off)\): 78ns
    - 关闭下降时间 \(tf\): 30ns
    - 总栅电荷 \(Qg\): 240nC
    二极管特性
    - 二极管正向电压 \(V{SD}\): 1.2V
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 101ns
    - 反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 280nC

    产品特点和优势


    NCEP026N10/NCEP026N10D的主要特点是其超低的导通电阻 \(R{DS(ON)}\) 和优秀的FOM(栅电荷 x 导通电阻乘积),使其非常适合于高频开关应用。同时,它具备出色的热稳定性,能够在高达175℃的工作温度下正常运行,这使得该器件适用于恶劣的环境条件。此外,该产品采用无铅镀层,符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该器件广泛应用于DC/DC转换器和其他需要高频开关的场合,例如数据中心、通信基站等。特别是在同步整流应用中表现出色,能够显著提高效率并减少能耗。
    使用建议
    在设计DC/DC转换器时,应考虑散热设计以确保MOSFET的工作温度不超过其最大允许值(175℃)。此外,合理的布局和布线可以减少寄生电感和电容的影响,从而提高开关性能。对于高频应用,可以考虑使用较小的栅电荷以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    NCEP026N10/NCEP026N10D 适用于常见的PCB板,但具体设计需遵循制造商的技术规范。供应商提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和样品测试,以帮助客户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关过程中出现过冲现象
    解决方案:
    调整栅极电阻 \(RG\) 的大小,以平衡开关速度和过冲幅度。增加栅极电阻可以降低开关速度,减少过冲现象。
    问题2: 散热不良导致温度过高
    解决方案:
    确保良好的散热设计,如增加散热片、使用散热膏或选用更大尺寸的散热器。同时检查PCB的布局,确保热量能够有效散发。
    问题3: 高频应用中的噪声干扰
    解决方案:
    使用屏蔽线缆,避免信号线和电源线交叉布设,减少电磁干扰。增加滤波器电路也可以有效地降低噪声。

    总结和推荐


    综上所述,NCEP026N10/NCEP026N10D 是一款高性能的N沟道超深槽II代功率MOSFET,特别适合高频开关应用。其超低的导通电阻和优秀的动态特性使其在市场上具有很强的竞争优势。推荐在需要高可靠性和高性能的DC/DC转换器和其他开关电源应用中使用。
    以上内容是基于NCEP026N10/NCEP026N10D技术手册的总结和整理。

NCEP026N10参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
最大功率耗散 300mW
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 200mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

NCEP026N10厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP026N10数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP026N10 NCEP026N10数据手册

NCEP026N10封装设计

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