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NCE85H21C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300mW 20V 3.2V 1个N沟道 85V 4.95mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 210mA TO-220
供应商型号: NCE85H21C TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE85H21C

NCE85H21C概述

    # NCE85H21C N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE85H21C 是一款由无锡南车半导体有限公司(Wuxi NCE Power Co., Ltd)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该产品采用了先进的沟槽工艺设计,提供极低的导通电阻(RDS(ON)),适用于汽车应用和其他广泛的应用场合。其主要功能包括高效的电力转换和高可靠性,能够在各种恶劣的工作环境中保持稳定运行。

    技术参数


    NCE85H21C的主要技术参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | - | - | 85 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏电流 | ID | - | - | 210 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 300 | W |
    | 热阻(结到壳) | RθJC | 0.5 | - | - | ℃/W |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | - | - | 60 | ℃/W |
    | 开启阈值电压 | VGS(th) | 2 | 3.2 | 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | - | 4.95 | - | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | 7600 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 720 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 346 | - | pF |
    | 关断延时时间 | td(off) | - | 84 | - | nS |

    产品特点和优势


    1. 高效低损耗:NCE85H21C采用了先进的沟槽工艺,具有非常低的导通电阻(RDS(ON) < 4.95mΩ @ VGS=10V),使其在工作过程中损耗更低,效率更高。
    2. 高稳定性:产品具有出色的热稳定性,在宽泛的工作温度范围内仍能保持高性能。
    3. 高ESD保护能力:特殊工艺设计提高了抗静电放电的能力,增强了产品的耐用性。
    4. 超低Rdson设计:通过高密度单元设计实现了极低的导通电阻,适用于硬开关和高频电路。
    5. 全面的电气特性测试:产品经过了全面的电气特性和安全测试,确保其可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    NCE85H21C广泛应用于汽车电源系统、不间断电源(UPS)、硬开关和高频电路等领域。例如,在汽车电源系统中,它能够有效提升系统的整体效率和可靠性;在UPS中,能够显著提高电源转换的效率。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保散热良好,避免长时间过载运行以减少温升。
    - 使用合适尺寸的散热片,并确保良好的接触以实现最佳的热管理。
    - 考虑在电路设计中加入过压保护电路,以防止电压突变对器件造成损害。

    兼容性和支持


    NCE85H21C采用标准的TO-220-3L封装,易于与其他常见的电源管理模块集成。无锡南车半导体有限公司提供详尽的技术支持和售后服务,以确保客户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何测量NCE85H21C的栅极电荷?
    解决方案:使用脉冲测试法测量栅极电荷,具体步骤可参考技术手册中的“Gate Charge Test Circuit”。
    问题2:如何选择合适的散热器?
    解决方案:根据产品规格书中的热阻参数(RθJA)选择合适的散热器。确保散热器与器件的良好接触,并考虑空气流动以增加散热效果。

    总结和推荐


    综上所述,NCE85H21C是一款性能优越的N沟道增强型功率MOSFET,具备高效低损耗、高稳定性和优良的热管理能力。它适用于多种应用场合,尤其适合汽车和高频电路中。无锡南车半导体有限公司提供的技术支持和完善的服务体系,进一步提升了该产品的市场竞争力。强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中选用此产品。

NCE85H21C参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.95mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,
最大功率耗散 300mW
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 85V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Id-连续漏极电流 210mA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-220

NCE85H21C厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE85H21C数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE85H21C NCE85H21C数据手册

NCE85H21C封装设计

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