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NCE55P15I

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个P沟道 55V 12A TO-252
供应商型号: NCE55P15I TO-251
供应商: 国内现货
标准整包数: 75
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE55P15I

NCE55P15I概述

    NCE55P15I 技术手册

    产品简介


    NCE55P15I 是无锡赛芯电力半导体有限公司推出的一款高效率的P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用了先进的沟槽技术设计,以提供极低的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷。NCE55P15I 在多种电源转换应用中表现出色,适用于硬开关和高频电路。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS -55 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID -15 | A |
    | 持续功率耗散 | PD 35 | W |
    | 热阻(结到外壳) | RθJC | 4.3 °C/W |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) 60-75 mΩ |
    | 栅极电荷 | Qg 26 nC |

    产品特点和优势


    NCE55P15I 的主要特点是:
    1. 高密度单元设计:提供超低的导通电阻。
    2. 全范围电气特性和雪崩测试:确保可靠性和稳定性。
    3. 优秀的封装:良好的散热性能。
    4. 低栅极电荷:适合高频应用。
    5. 宽工作温度范围:-55°C 到 +175°C。

    应用案例和使用建议


    NCE55P15I 可广泛应用于以下领域:
    1. 电源开关应用:如直流-直流变换器。
    2. 硬开关和高频电路:提供高速切换能力。
    3. DC-DC 转换器:提高能效和系统可靠性。
    使用建议:
    - 在高频应用中,注意寄生电容的影响,选择合适的驱动器以减少开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,考虑散热措施以避免过热。

    兼容性和支持


    NCE55P15I 采用标准 TO-251 封装,易于与其他元器件配合使用。无锡赛芯电力半导体有限公司提供技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片或采用更高效的散热方式,确保工作温度在额定范围内。
    2. 问题:启动延迟时间长?
    - 解决方案:检查驱动信号,确保符合门极电荷要求。

    总结和推荐


    综上所述,NCE55P15I 是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,特别适合于硬开关和高频应用。其低导通电阻和优秀的电气特性使其成为电源转换领域的理想选择。建议在需要高效能、高可靠性的电源管理系统中使用该产品。

NCE55P15I参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252

NCE55P15I厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE55P15I数据手册

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NCE55P15I封装设计

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