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NCE60P10K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 45mW 20V 2.5V 25nC@ 10V 1个P沟道 60V 106mΩ@ 10V,10A 10A 930pF@30V TO-252
供应商型号: 31M-NCE60P10K
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE60P10K

NCE60P10K概述

    NCE60P10K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NCE60P10K 是无锡市耐驰电子有限公司(NCE Power)生产的一款无铅产品,采用先进的沟槽技术和设计,具备出色的导通电阻(RDS(ON))及低栅极电荷(Qg)。这种MOSFET特别适用于负载开关和PWM应用领域。NCE60P10K的高密度单元设计确保了其超低的导通电阻,且完全针对雪崩电压和电流进行了表征,能够提供良好的散热性能。

    技术参数


    以下是NCE60P10K的主要技术规格:
    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):-60V
    - 漏极连续电流(ID):-10A
    - 最大功率耗散(PD):45W
    - 绝对最大额定值测试:
    - 漏源电压(VDS):-60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极脉冲电流(IDM):-40A
    - 热阻(Junction-to-Case):3.3℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-60V
    - 漏极导通电阻(RDS(ON)):
    - 在VGS=-10V时:<120mΩ
    - 在VGS=-4.5V时:<170mΩ
    - 前向转移电导(gFS):10S
    - 动态特性:
    - 输入电容(CISS):930pF
    - 输出电容(COSS):85pF
    - 反向转移电容(CRSS):35pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):8ns
    - 开启上升时间(tr):4ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):32ns
    - 关闭下降时间(tf):7ns
    - 总栅极电荷(Qg):25nC

    产品特点和优势


    NCE60P10K具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):在VGS=-10V时<120mΩ,在VGS=-4.5V时<170mΩ,适用于高效率应用。
    - 高密度单元设计:提供超低导通电阻,提高系统效率。
    - 优良的散热性能:适用于长时间运行的应用场景。
    - 全面的雪崩电压和电流特性:确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 完全测试和验证:所有产品经过100%UIS测试和ΔVds测试,保证高品质。

    应用案例和使用建议


    NCE60P10K 主要应用于负载开关和PWM应用领域。以下是一些使用建议:
    - 负载开关应用:可作为电源管理系统中的高效负载开关,减少损耗并提高系统效率。
    - PWM应用:适用于需要高频开关的应用场景,如电机控制和逆变器。
    优化建议:
    - 热管理:为避免高温导致的可靠性问题,建议使用良好的散热器或热垫以确保最佳工作温度范围。
    - 电路布局:注意栅极驱动电路的设计,以降低寄生电容的影响,提高开关速度。

    兼容性和支持


    NCE60P10K与大多数标准的表面贴装技术(SMT)兼容,适用于FR4板材上的回流焊工艺。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利集成到其产品设计中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流条件下工作时,导通电阻增加。
    解决方案:检查电路布局,确保良好接地和走线设计,降低寄生电感和电容的影响。
    2. 问题:高温环境下性能下降。
    解决方案:使用外部散热器或改进热管理设计,确保器件在安全温度范围内工作。
    3. 问题:关断延迟时间过长。
    解决方案:优化栅极驱动电路,适当增加栅极驱动电压以加速开关速度。

    总结和推荐


    NCE60P10K是一款高性能、高可靠性的P沟道增强型功率MOSFET,非常适合负载开关和PWM应用。其低导通电阻、优良的散热性能和全面的测试验证,使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

NCE60P10K参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 45mW
Rds(On)-漏源导通电阻 106mΩ@ 10V,10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 25nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 930pF@30V
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
应用等级 工业级

NCE60P10K厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE60P10K数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCE60P10K NCE60P10K数据手册

NCE60P10K封装设计

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50+ ¥ 1
100+ ¥ 0.88
500+ ¥ 0.7
2500+ ¥ 0.64
5000+ ¥ 0.6
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