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NCEP40T20ALL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300mW 20V 3.8V 91nC@ 10V 1个N沟道 40V 1.2mΩ@ 10V,100A 250mA 5.8346nF@ 20V TOLL-8
供应商型号: 14M-NCEP40T20ALL TOLL8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP40T20ALL

NCEP40T20ALL概述

    NCEP40T20ALL N-Channel Super Trench Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NCEP40T20ALL 是由无锡南车功率半导体有限公司开发的一种高效高频开关用N沟道超级沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件特别适用于高频率的开关应用及同步整流,广泛应用于DC/DC转换器等领域。其独特的Super Trench技术提供了优异的高频开关性能,同时通过极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)来最小化导通损耗和开关损耗。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):40V
    - 漏极电流(连续)(ID):250A
    - 最大功耗(PD):300W
    - 集电极-发射极击穿电压(BVDSS):40V
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):1692mJ
    - 热阻(结到壳体)(RθJC):0.5℃/W
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(ON)):1.2mΩ(典型值@VGS=10V)
    - 输入电容(Ciss):5834.6PF
    - 输出电容(Coss):2320.5PF
    - 反向转移电容(Crss):70PF(@VDS=20V,VGS=0V,F=1.0MHz)
    - 开关特性:上升时间(tr)≤8ns,下降时间(tf)≤10ns
    - 栅极电荷(Qg):91nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):29.4nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):19nC
    - 反向恢复时间(trr):38ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):125nC
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55℃至175℃
    - 存储温度范围:-55℃至175℃

    3. 产品特点和优势


    - 高效高频开关性能:采用Super Trench技术,提供卓越的高频开关性能。
    - 低导通电阻:典型的导通电阻(RDS(ON))仅为1.2mΩ,有效降低导通损耗。
    - 低栅极电荷:栅极电荷(Qg)为91nC,有助于减少开关损耗。
    - 宽工作温度范围:能够在-55℃至175℃的极端环境下稳定工作。
    - 铅-Free镀层:环保且耐用,符合无铅标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - DC/DC转换器:适用于高频率DC/DC转换器,提供高效的电源转换。
    - 同步整流:在同步整流电路中作为开关元件,提高系统效率。
    - 使用建议:
    - 热管理:由于最高功耗可达300W,必须采取有效的散热措施以避免过热损坏。
    - 驱动电路设计:为了实现快速开关,应设计合适的驱动电路,以减小栅极电荷的影响。
    - 防护电路:增加保护电路如钳位二极管,以防止反向恢复过程中产生的瞬态电压损害器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCEP40T20ALL MOSFET可以与各种DC/DC转换器和其他高频率开关应用设备兼容。
    - 支持和维护:制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括在线资料库、技术支持热线和客户服务中心。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:过高的功耗导致过热。
    - 解决方法:使用散热片或其他冷却装置进行散热,确保良好的热管理。
    - 问题二:驱动电路不稳定导致开关异常。
    - 解决方法:设计合适的栅极驱动电路,确保足够的栅极电荷和正确的驱动电压。
    - 问题三:反向恢复时间过长。
    - 解决方法:在电路中添加缓冲电路,如RC吸收电路,以减小反向恢复时间的影响。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NCEP40T20ALL是一款高性能的N沟道超级沟槽MOSFET,具备优异的高频开关性能和低导通损耗。其宽广的工作温度范围和环保的无铅镀层使其在各种恶劣环境下均能可靠运行。
    推荐:
    鉴于其出色的表现和广泛的应用领域,我们强烈推荐使用NCEP40T20ALL在需要高效率和高可靠性的电力电子应用中。

NCEP40T20ALL参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2mΩ@ 10V,100A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 300mW
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 91nC@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 250mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.8346nF@ 20V
通用封装 TOLL-8
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCEP40T20ALL厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP40T20ALL数据手册

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