处理中...

首页  >  产品百科  >  NCEP058N85

NCEP058N85

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125mW 67nC@ 10V 1个N沟道 85V 5.4mΩ@ 10V,45A 95mA TO-220
供应商型号: NCEP058N85 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP058N85

NCEP058N85概述

    NCEP058N85/NCEP058N85D N-Channel Super Trench II Power MOSFET

    1. 产品简介


    NCEP058N85/NCEP058N85D是无锡南车电力半导体有限公司生产的一款高性能N沟道Super Trench II电源MOSFET。这些器件采用了专为高效高频开关设计的Super Trench II技术。它们适用于高频率开关和同步整流,广泛应用于DC/DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 85 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 95 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 380 | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 125 | - | W |
    | 击穿电压 | BVDSS | - | 85 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | 5.2 | 5.4 | 5.8 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | - | 3550 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 540 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 22 | - | pF |
    | 开关延迟时间 | td(on) | - | 14.5 | - | nS |
    | 开关上升时间 | tr | - | 12 | - | nS |
    | 开关下降时间 | tf | - | 13 | - | nS |
    | 栅电荷 | Qg | - | 67 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 极低导通电阻:典型导通电阻仅为5.4 mΩ(TO-220封装),这使得在高频率开关应用中具有出色的效率。
    - 优异的栅电荷与导通电阻乘积:有助于减少开关损耗,提升整体系统效率。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C到175°C之间稳定工作。
    - 无铅镀层:环保设计,符合RoHS标准。
    - 全检测试:所有产品经过UIS和ΔVds全检,确保高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器:该器件适用于高频率开关和同步整流,适用于需要高效能和高频工作的场合。

    使用建议:
    - 确保电路设计中加入适当的保护措施,例如过压保护和过流保护,以提高系统的可靠性和稳定性。
    - 高温环境下使用时,注意散热,以避免因温度过高导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NCEP058N85/NCEP058N85D适用于多种PCB布局,适用于表面贴装,支持TO-220和TO-263两种封装。
    - 支持和服务:厂家提供详尽的技术文档和客户支持,以便于设计人员顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温下工作时,导通电阻增加。
    解决方案:使用适当的散热措施,如加装散热片或风扇,以保持器件在合理的工作温度范围内。
    2. 问题:脉冲电流超出最大允许值。
    解决方案:在电路设计中加入电流限制电路,确保器件不超载运行。
    3. 问题:器件在高温环境下的使用寿命缩短。
    解决方案:选择合适的散热方案,如增加散热片或使用强制风冷,以保持器件在适宜的温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    总结:NCEP058N85/NCEP058N85D是一款高性能的N沟道Super Trench II MOSFET,具备极低的导通电阻和优秀的开关特性。它非常适合用于高频率开关和同步整流应用。厂商提供了详细的技术文档和客户支持,确保用户能够充分利用其优势。
    推荐:强烈推荐用于需要高效能和高频工作的场合,特别是在DC/DC转换器和其他电源管理模块中。通过合理的电路设计和保护措施,可以充分发挥其优势,实现卓越的性能。

NCEP058N85参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 85V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 67nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.4mΩ@ 10V,45A
Id-连续漏极电流 95mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 125mW
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 TO-220
应用等级 工业级

NCEP058N85厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP058N85数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP058N85 NCEP058N85数据手册

NCEP058N85封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 2.27
库存: 1000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 2270
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336