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NCEP055N30GU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30mW 1个N沟道 30V 55mA DFN-5
供应商型号: NCEP055N30GU DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEP055N30GU

NCEP055N30GU概述

    # NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET(型号:NCEP055N30GU)是一种高性能的N沟道超级沟槽II型功率MOSFET,专为高频开关应用设计。该产品采用了独特的Super Trench II技术,旨在提供高效能的高频开关性能。这种MOSFET非常适合用于DC/DC转换器中的高频率开关和同步整流。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气参数:
    - 电压等级:VDS = 30V
    - 连续电流:ID = 55A
    - 低导通电阻:RDS(ON) = 4.2mΩ (典型值 @ VGS=10V)
    - RDS(ON) = 7.4mΩ (典型值 @ VGS=4.5V)
    - 栅极电荷乘以导通电阻的产品:FOM (FoM) 极佳
    - 工作温度范围:150°C
    - 无铅镀层
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:30V
    - 栅源电压 VGS:±20V
    - 连续漏极电流 ID:55A
    - 最大功耗 PD:30W
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:115mJ
    - 热阻:RθJC = 4.17°C/W
    - 动态特性:
    - 输入电容 CISS:980pF
    - 输出电容 COSS:600pF
    - 反向传输电容 CRSS:40pF
    - 开关特性:
    - 开启延时时间 td(on):4ns
    - 开启上升时间 tr:5ns
    - 关断延时时间 td(off):15ns
    - 关断下降时间 tf:4ns
    - 总栅极电荷 Qg:9.5nC
    - 栅源电荷 QGS:3.2nC
    - 栅漏电荷 QGD:3.0nC
    - 二极管特性:
    - 正向二极管电压 VSD:1.2V
    - 正向二极管电流 IS:55A
    - 反向恢复时间 trr:11ns
    - 反向恢复电荷 Qrr:19nC

    产品特点和优势


    该产品的独特之处在于其极低的导通电阻(RDS(ON))和高效的栅极电荷性能(FOM)。这些特点使其在高频开关和同步整流应用中表现出色,且能够在高达150°C的工作温度下稳定运行。此外,无铅镀层确保了产品的环保性,符合现代电子产品标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC/DC转换器:该MOSFET非常适合用于电源管理系统中的DC/DC转换器,因为它能够有效降低开关损耗,提高系统效率。
    2. 高频开关:由于其优秀的高频开关性能,它也适用于其他需要高频工作的场合,如无线通信设备。
    使用建议
    1. 选择适当的驱动器:为了充分发挥其高频开关性能,建议使用能够提供合适栅极驱动电压的驱动器。
    2. 散热管理:由于其高功耗,建议在实际应用中考虑良好的散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    3. 负载测试:在实际部署前,建议进行详细的负载测试,确保其在各种条件下都能稳定工作。

    兼容性和支持


    NCEP055N30GU 采用DFN5X6-8L封装,可方便地与其他标准元件集成。NCE公司提供了详尽的技术支持和客户支持,确保用户能够获得最佳的应用体验。此外,厂商还提供了相关的设计指南和应用笔记,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:产品工作时温度过高
    - 解决方案:增加散热片或使用更好的散热材料,确保良好的空气流通。
    2. 问题:栅极驱动信号不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路的接线和元件,确保驱动信号质量良好。
    3. 问题:启动时出现振荡现象
    - 解决方案:检查外围电路设计,特别是驱动电阻和电容的配置,调整合适的参数。

    总结和推荐


    总体而言,NCEP055N30GU是一款高性能的N沟道超级沟槽II型功率MOSFET,具有极低的导通电阻和出色的高频开关性能。其广泛应用在DC/DC转换器和高频开关领域,特别适合于需要高可靠性和高效率的场合。我们强烈推荐这一产品,尤其对于那些追求高性能电源管理和高频应用的设计工程师。

NCEP055N30GU参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 55mA
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 30mW
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 DFN-5

NCEP055N30GU厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCEP055N30GU数据手册

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NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCEPOWER/无锡新洁能 NCEP055N30GU NCEP055N30GU数据手册

NCEP055N30GU封装设计

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