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NCE0110AS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.1mW 20V 1.1V 1个N沟道 100V 17mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,26(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 10mA SOP-8 贴片安装
供应商型号: NCE0110AS SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
NCEPOWER/无锡新洁能 场效应管(MOSFET) NCE0110AS

NCE0110AS概述

    # NCE0110AS N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE0110AS 是由无锡 NCE 功率有限公司生产的 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(N沟道增强型功率MOSFET)。它采用了先进的沟槽技术与设计,能够提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这款MOSFET具有广泛的应用范围,适用于多种电子产品中,包括DC/DC转换器初级侧开关、电信及服务器系统和同步整流等场合。

    技术参数


    以下是 NCE0110AS 的关键技术参数:
    - 额定电压:VDS = 100V
    - 连续漏电流:ID = 10A (TC=100℃ 下为 7A)
    - 最大脉冲漏电流:IDM = 70A
    - 最大功耗:PD = 3.1W
    - 热阻:RθJA = 40℃/W
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V 时,典型值为 14mΩ,最大值为 17mΩ
    - VGS = 4.5V 时,典型值为 15.2mΩ,最大值为 20mΩ
    - 栅极充电电荷:Qg = 90nC
    - 输入电容:Ciss = 3835pF
    - 输出电容:Coss = 178pF
    - 反向转移电容:Crss = 153pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间:td(on) = 13ns
    - 开启上升时间:tr = 14ns
    - 关闭延迟时间:td(off) = 25ns
    - 关闭下降时间:tf = 10ns
    - 反向恢复时间:trr = 33ns
    - 反向恢复电荷:Qrr = 54nC

    产品特点和优势


    NCE0110AS 具备多项显著的技术优势:
    - 高效率:低栅极电荷和低导通电阻(RDS(ON))使其在多种应用中表现出色。
    - 高可靠性:采用特殊工艺技术,提高了产品的抗静电能力(ESD)。
    - 高性能:高密度单元设计确保了超低导通电阻,进一步提升整体性能。
    - 适应性强:宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 150℃),适合恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE0110AS 可用于多种电力电子系统中,例如:
    - DC/DC 转换器:作为初级侧开关,提高系统的整体效率。
    - 电信及服务器系统:因其优异的性能,在数据中心等高负载场合表现良好。
    - 同步整流:提升电源转换效率,减少功耗。
    使用建议
    - 散热管理:由于最大功耗为 3.1W,需要适当的散热措施以保证正常工作。
    - 电路布局:为了降低寄生电容的影响,应尽量缩短栅极引线长度,并使用较低的栅极电阻。
    - 测试验证:在实际应用前进行充分的测试验证,确保在特定工作条件下器件性能满足需求。

    兼容性和支持


    - 封装信息:采用 SOP-8 封装,符合工业标准,便于焊接和组装。
    - 供货方式:每个包装包含 4000 个单位,方便大规模生产使用。
    - 技术支持:无锡 NCE 功率有限公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到问题时能得到及时解决。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 系统过热 | 检查散热措施是否到位,考虑增加散热片或改进空气流动。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查栅极驱动信号是否稳定,调整栅极电阻。 |
    | 效率降低 | 确认是否超过器件的最大额定值,如温度、电压等。 |

    总结和推荐


    综上所述,NCE0110AS 在多个方面表现出色,尤其在高效率、高可靠性及宽工作温度范围方面有着明显优势。它特别适合应用于 DC/DC 转换器、电信及服务器系统等对性能要求较高的场景。总体来看,这是一款值得推荐的产品,尤其是在电力电子应用领域中。

NCE0110AS参数

参数
Id-连续漏极电流 10mA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,26(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 3.1mW
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

NCE0110AS厂商介绍

NCEPOWER公司是一家专注于电力电子技术的研发和制造的企业,主要产品涵盖电源、能源管理、电力转换和储能解决方案等多个领域。公司的产品分类主要包括:

1. 电源产品:包括AC/DC电源、DC/DC转换器、电源适配器等,广泛应用于工业自动化、通信、医疗设备等领域。
2. 能源管理系统:提供智能电网、太阳能光伏、风能等可再生能源的能源管理解决方案。
3. 电力转换设备:包括变频器、电机控制器等,服务于工业驱动和自动化控制。
4. 储能解决方案:提供电池管理系统(BMS)、储能逆变器等,应用于电动汽车、家庭储能和电网储能。

NCEPOWER的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的全球销售和服务网络,提供快速响应和本地化支持。

NCEPOWER致力于通过先进的电力电子技术,为客户提供高效、可靠和环保的电力解决方案,推动能源的可持续发展。

NCE0110AS数据手册

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NCE0110AS封装设计

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