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LP20N100TZHG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个P沟道 100V 1.2mA SOT-223
供应商型号: LP20N100TZHG SOT-223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LP20N100TZHG

LP20N100TZHG概述

    LP20N100TZHG P-Channel 100-V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    LP20N100TZHG 是由乐山无线电有限公司生产的一款 P-Channel 100-V 电力 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类元器件广泛应用于各种电力转换系统中,如开关电源、电机驱动器和直流-直流转换器等。其主要功能是作为电子开关,在电路中控制电流的通断。由于具有极低的导通电阻和高效的电荷特性,这款 MOSFET 可以显著提高系统的效率并延长电池寿命。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏电流(ID):1.2 A (VGS = -10 V)
    - 连续漏电流(ID):1.3 A (VGS = -4.5 V)
    - 最大功耗(PD):1.9 W (Ta = 25°C)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(VBRDSS):459 V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):-3 V
    - 栅泄漏电流(IGSS):±100 nA
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 时,典型值为 1.2 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V 时,典型值为 1.3 Ω
    - 输入电容(Ciss):19.7 pF
    - 输出电容(Coss):1.2 pF
    - 反向传输电容(Crss):1.2 pF
    - 热特性
    - 热阻(Junction-to-Ambient):65 °C/W
    - 热阻(Junction-to-Case):150 °C/W

    3. 产品特点和优势


    LP20N100TZHG 的主要特点包括:
    - 低 RDS(on):在 VGS = -10 V 时 RDS(on) ≤ 1.2 Ω,在 VGS = -4.5 V 时 RDS(on) ≤ 1.3 Ω,有助于提高系统的整体效率。
    - 逻辑级栅极驱动:使得驱动电路更加简单,降低了设计难度。
    - 符合RoHS要求且无卤素材料:环保安全,适用于各种绿色电子产品。
    - 高效能:出色的功率处理能力和低导通电阻使它非常适合于高效率的电力转换应用。

    4. 应用案例和使用建议


    LP20N100TZHG 广泛应用于多种电力转换系统中,例如:
    - 开关电源:用于调节输出电压。
    - 电机驱动器:用于驱动不同类型的电动机。
    - 直流-直流转换器:实现电压等级转换。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑到散热问题,特别是在高电流应用中。
    - 使用适当的电路保护措施,如过流保护和瞬态电压抑制器,以避免损坏。
    - 适当选择 PCB 布局和散热方案,以充分利用 MOSFET 的热性能。

    5. 兼容性和支持


    LP20N100TZHG 与大多数标准 P-Channel MOSFET 针脚兼容,可以轻松替换现有的 MOSFET。此外,乐山无线电有限公司提供了详尽的技术支持,包括安装指南、应用笔记和在线咨询服务,以帮助用户解决各种技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确连接 MOSFET?
    - 解决方法:确保栅极(G)通过一个合适的电阻连接到驱动电路,以防止电压瞬变损坏器件。漏极(D)连接到电源,源极(S)连接到负载。
    - 问题2:如何改善热管理?
    - 解决方法:使用较大的铜箔区域来增加散热面积,并考虑添加散热片或其他散热装置。
    - 问题3:遇到过高的漏电流怎么办?
    - 解决方法:检查驱动电路是否有损坏,确保栅极电阻正确选择,并重新检查焊接质量。

    7. 总结和推荐


    LP20N100TZHG P-Channel 100-V Power MOSFET 以其低导通电阻、高效率和良好的热稳定性在市场上具备显著的优势。它的应用范围广泛,适合于各种电力转换系统。我们强烈推荐这款 MOSFET 用于需要高性能和高效率的应用场合。同时,乐山无线电有限公司提供的技术支持和文档也为用户的使用提供了有力保障。

LP20N100TZHG参数

参数
Id-连续漏极电流 1.2mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
通用封装 SOT-223

LP20N100TZHG厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LP20N100TZHG数据手册

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LP20N100TZHG封装设计

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