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LNP3604T1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P沟道 30V 3.05mA,2.28mA SOT-6
供应商型号: A-LNP3604T1G-LRC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LNP3604T1G

LNP3604T1G概述

    # LNP3604T1G/S-LNP3604T1G 30V互补沟槽式MOSFET技术手册

    产品简介


    LNP3604T1G 和 S-LNP3604T1G 是由乐山无线电股份有限公司(LRC)推出的30V互补沟槽式MOSFET系列产品。这些器件以其卓越的性能和广泛的适用性著称,能够满足多种电子设计需求。该系列包含P通道和N通道两种类型,适用于高压开关应用、电源管理、电机控制及汽车电子等领域。这些器件均符合RoHS标准且无卤素材料,体现了环保理念。
    主要功能与特点:
    - 高电压支持:P通道型号支持-30V,N通道型号支持30V;
    - 极低导通电阻:典型值为64mΩ(N通道,VGS=4.5V,IDS=1A),提供高效的电流传输能力;
    - 温度范围宽广:工作温度范围可达-55°C至+150°C,适合恶劣环境;
    - 高度集成化设计:采用TSOP-6封装形式,体积小巧便于集成;
    - 符合AEC-Q101标准:适用于对可靠性要求极高的车载应用。

    技术参数


    以下是根据手册中提供的关键指标整理出的技术规格概览:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(P通道) | -30 | V |
    | 最大漏极连续电流 | 3.05 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 11.59 | A |
    | 导通电阻(P通道@VGS=-4.5V)| 98.3~115 | mΩ |
    | 导通电阻(P通道@VGS=-2.5V)| 127.4~150 | mΩ |
    | 导通电阻(N通道@VGS=4.5V)| 36.1~64 | mΩ |
    | 导通电阻(N通道@VGS=2.5V)| 43.6~76 | mΩ |
    | 导通电阻(N通道@VGS=1.8V)| 56.5~148 | mΩ |
    | 工作温度范围 | -55~+150 | °C |
    | 热阻抗 | 140 | °C/W |
    此外,还支持多种动态特性如输入电容、输出电容等,并且具有良好的静电防护能力。

    产品特点和优势


    此款MOSFET具备以下几个显著优点:
    - 高效能:低导通电阻确保了最小的能量损耗,提高了系统的整体效率;
    - 高可靠性:通过严格的测试流程并达到AEC-Q101认证,确保了其在各种苛刻条件下的稳定表现;
    - 广泛适应性:无论是普通消费类产品还是高性能汽车电子都能找到合适的应用场景;
    - 环保友好:不含铅汞镉等有害物质,有助于减少环境污染。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    1. 开关电源设计:由于其优秀的开关速度和低损耗特性,非常适合用于高频开关电路中。
    2. 电池管理系统:可用于监控和保护锂电池组,防止过充或过放现象发生。
    3. 汽车电子控制单元(ECU):特别是在需要承受极端温度变化的地方发挥重要作用。
    使用建议
    为了更好地利用这些特性,在实际操作过程中应该注意以下几点:
    - 确保正确连接栅极驱动电路以避免误触发;
    - 在高频工作中考虑散热措施以延长使用寿命;
    - 结合具体的设计需求选择合适的封装类型。

    兼容性和支持


    该产品与市面上大多数主流PCB布局工具完全兼容,并且提供了详尽的订购信息和服务支持。客户可以通过联系官方客服获取更多帮助和技术指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开机时出现异常噪音 | 检查是否安装到位并重新焊接 |
    | 长时间运行后发热严重 | 添加额外的散热片或者优化布局 |
    | 输出信号不稳定 | 调整驱动电压直到达到最佳工作状态 |

    总结和推荐


    综上所述,LNP3604T1G/S-LNP3604T1G系列MOSFET凭借其出色的技术指标、强大的应用能力和可靠的品质保证成为市场上不可多得的好选择。如果您正在寻找一款能够在严苛条件下正常工作的高性能电子元件,那么它们无疑值得您的信赖。强烈推荐给所有希望提升自身产品性能的专业人士!

LNP3604T1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 3.05mA,2.28mA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 N+P沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-6

LNP3604T1G厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LNP3604T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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LNP3604T1G封装设计

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