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LN8320DT1AG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 10nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 9.5mΩ@ 10V,12.8A 10mA DFN-3030-8B
供应商型号: A-LN8320DT1AG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LN8320DT1AG

LN8320DT1AG概述

    # LN8320DT1AG N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    LN8320DT1AG 是一款高性能的 N 沟道 30V(漏-源)MOSFET,适用于多种电子应用。该器件采用先进的低导通电阻沟槽技术制造,具备快速开关速度和较低的热阻抗。这些特性使得它在诸如电源管理、直流-直流转换和电机驱动等领域具有广泛应用。

    2. 技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏-源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 100 | A |
    | 连续漏极电流(Ta = 25°C) | ID | 25 | A |
    | 功率耗散(Ta = 25°C) | PD | 3.5 | W |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 限制 | 单位 |
    ||
    | 最大结到环境热阻 | RθJA | 35 | °C/W |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ +150 | °C |
    | 工作结温 | TJ | -55 ~ +150 | °C |
    电气特性
    | 特性 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 栅-源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | µA |
    | 漏-源导通电阻 | RDS(on) | 11 | mΩ (VGS = 10V, ID = 12.8A)
    16 mΩ (VGS = 4.5V, ID = 10.3A) |
    | 二极管正向电压 | VSD | 1.2 | V |
    | 总栅极电荷 | Qg | 10 | nC |
    | 动态输入电容 | Ciss | - | pF |
    | 动态输出电容 | Coss | 130 | pF |
    | 动态反向传输电容 | Crss | 110 | pF |

    3. 产品特点和优势


    LN8320DT1AG 的主要优势包括:
    - 低导通电阻沟槽技术:该技术能够显著降低器件的导通电阻,从而提高效率并减少功耗。
    - 快速开关速度:有助于减少开关损耗,提高电路的整体性能。
    - 低热阻抗:提高了器件的工作稳定性和可靠性。
    这些特点使 LN8320DT1AG 在电力管理和转换应用中表现出色,特别是在需要高效率和可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:LN8320DT1AG 可用于各类电源管理系统,包括移动设备充电器和适配器。
    - 直流-直流转换:在 DC/DC 转换器中,其高效率和快速开关能力可提升转换效率。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,LN8320DT1AG 可以有效地控制电机的电流,减少发热和噪声。
    使用建议
    - 散热设计:尽管 LN8320DT1AG 具有较低的热阻抗,但在高温环境下使用时仍需考虑良好的散热设计。
    - 负载匹配:根据实际应用场景,合理选择负载电阻以匹配最佳工作点,确保高效运行。

    5. 兼容性和支持


    LN8320DT1AG 采用了标准的 DFN3030-8B 封装,易于集成到现有的电路板设计中。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品规格书、应用指南和故障排除手册。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的栅极驱动电压?
    解决方案:通常情况下,选择栅极驱动电压应保证其高于阈值电压 VGS(th),并且不超过最大栅源电压 VGS(max)。常见的栅极驱动电压为 10V 或 4.5V。
    问题2:如何避免热失控?
    解决方案:在设计时考虑使用适当的散热片或风扇,确保器件的结温低于其最大允许值(+150°C)。此外,采用热阻抗较小的封装也有助于减少热积累。

    7. 总结和推荐


    LN8320DT1AG N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高效率、高可靠性的电力电子器件。其低导通电阻和快速开关速度使其在众多应用中表现出色。我们强烈推荐 LN8320DT1AG 用于需要高效率和良好热管理的场合。通过仔细的设计和恰当的应用,LN8320DT1AG 将成为您项目的理想选择。

LN8320DT1AG参数

参数
栅极电荷 10nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 10mA
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10V,12.8A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 DFN-3030-8B

LN8320DT1AG厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LN8320DT1AG数据手册

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LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LRC/乐山无线电 LN8320DT1AG LN8320DT1AG数据手册

LN8320DT1AG封装设计

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