处理中...

首页  >  产品百科  >  LNB8404DT0AG

LNB8404DT0AG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 40V 22mA DFN-3333-8A
供应商型号: A-LNB8404DT0AG-LRC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2000
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LNB8404DT0AG

LNB8404DT0AG概述

    # N-Channel 40-V (D-S) MOSFET LNB8404DT0AG 技术手册

    产品简介


    LNB8404DT0AG 是一款由乐山无线电股份有限公司生产的N沟道40V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及低热阻等特点。LNB8404DT0AG 在多种电力转换及电机驱动等领域中有着广泛的应用前景。
    主要功能和应用领域
    - 主要功能:低导通电阻、快速开关速度、低热阻。
    - 应用领域:
    - 直流/直流变换(DC/DC Conversion)
    - 功率路由(Power Routing)
    - 电机驱动(Motor Drives)

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS):40 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):22 A(TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):88 A(TA = 25°C)
    - 存储温度范围 (Tstg):-55 °C ~ +150 °C
    - 连续源极电流 (IS):17.5 A(TA = 25°C)
    - 雪崩电流 (IAS):33 A(L = 0.1 mH)
    - 雪崩能量 (EAS):54.45 mJ(L = 0.1 mH)
    热特性
    - 热阻(结到环境) (RθJA):1.3 °C/W
    - 热阻(结到外壳) (RθJC):2.1 °C/W
    电气特性
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):1 V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS):-
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):3.2 mΩ(VGS = 10 V, ID = 16 A)
    - 二极管正向电压 (VSD):1.3 V
    - 总栅电荷 (Qg):20.5 nC
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):1387 pF
    - 输出电容 (Coss):146 pF
    - 反向传输电容 (Crss):146 pF

    产品特点和优势


    LNB8404DT0AG 的主要特点是低导通电阻和快速开关速度,使得它在高效率应用中表现出色。同时,其低热阻的设计能有效减少器件在运行时的热量积聚,从而延长使用寿命。此外,该器件采用无卤素材料制造,符合RoHS标准,确保了环保合规性。
    市场竞争力
    LNB8404DT0AG 在电机驱动和电力转换应用中的表现卓越,其出色的性能使其在市场上具有较高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    LNB8404DT0AG 在直流/直流变换、功率路由和电机驱动等方面均有广泛应用。例如,在电机驱动系统中,它可以有效地提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议
    - 散热设计:为了确保长期稳定运行,建议使用适当的散热措施,如加装散热片或使用散热器。
    - 电路布局:合理规划电路布局,尽量缩短栅极走线,以减少杂散电感对器件性能的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    LNB8404DT0AG 支持表面贴装工艺,适用于各种主流PCB设计。与大多数现代电子设备和电路板兼容,可直接替换现有产品进行升级。
    厂商支持
    乐山无线电公司提供详尽的技术文档和支持服务,用户可通过官方网站或联系销售代表获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻过高:检查工作温度是否超出正常范围。
    2. 发热严重:检查散热设计是否合理,是否有足够的散热措施。
    3. 漏电流过大:检查工作电压是否在安全范围内。
    解决方案
    1. 降低温度:调整散热措施,保证工作温度在规定范围内。
    2. 增加散热:安装散热片或风扇,改善散热条件。
    3. 降低工作电压:确保工作电压不超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    综合评估
    LNB8404DT0AG 以其低导通电阻、快速开关速度和低热阻等显著特点,在多个电力转换和电机驱动应用中表现出色。其高可靠性、良好兼容性和环保特性使其成为市场上的一款优秀产品。
    推荐使用
    对于需要高效、可靠和环保的电力转换及电机驱动应用,强烈推荐使用 LNB8404DT0AG。该器件不仅能够提升系统性能,还能为用户提供稳定的长期保障。

LNB8404DT0AG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 22mA
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 DFN-3333-8A

LNB8404DT0AG厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LNB8404DT0AG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LRC/乐山无线电 LNB8404DT0AG LNB8404DT0AG数据手册

LNB8404DT0AG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 1.4324
库存: 10020
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
合计: ¥ 2864.8
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336