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LBSS84LT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 225mW 20V 2V 6nC 1个P沟道 50V 5mΩ,100μΩ 130μA 38pF@ 5V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 26M-LBSS84LT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LBSS84LT1G

LBSS84LT1G参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 50V
Id-连续漏极电流 130μA
最大功率耗散 225mW
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 6nC
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ,100μΩ
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 38pF@ 5V
配置 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

LBSS84LT1G厂商介绍

假设LRC公司是一家高科技制造企业,主营产品分类如下:

1. 电子产品:包括智能设备、传感器和电子组件,应用于智能家居、工业自动化和医疗设备。

2. 机械设备:涵盖工业机器人、自动化生产线和精密机械,服务于制造业、物流和建筑行业。

3. 软件解决方案:提供企业资源规划(ERP)系统、客户关系管理(CRM)软件和数据分析工具,适用于各种规模的企业。

4. 新材料:研发和生产高性能塑料、复合材料和纳米材料,应用于****、汽车制造和电子产品。

LRC公司的优势可能包括:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系,确保产品可靠性和耐用性。
- 客户服务:提供定制化解决方案和卓越的售后服务,满足客户需求。
- 全球布局:在全球多个国家和地区设有分支机构,能够快速响应不同市场的需求。

LBSS84LT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LRC/乐山无线电 场效应管(MOSFET) LRC/乐山无线电 LBSS84LT1G LBSS84LT1G数据手册

LBSS84LT1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 0.099
100+ ¥ 0.0892
500+ ¥ 0.0811
1000+ ¥ 0.0686
3000+ ¥ 0.0637
9000+ ¥ 0.0558
15000+ ¥ 0.0526
库存: 1085279
起订量: 10 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 0.99
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