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UMW8205A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 830mW ±12V 2个N沟道 20V 0.036VGS=2.5V,ID=3A 5A SOT-23-6 贴片安装
供应商型号: 15M-UMW8205A SOT-23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) UMW8205A

UMW8205A概述

    SYM8205A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    SYM8205A 是一款由友台半导体有限公司生产的双N沟道增强模式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品广泛应用于便携式设备和电池供电系统等领域,例如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等移动设备。它的主要功能是作为开关或放大器使用,在电路设计中能够有效地控制电流流动。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 20V
    - 栅源电压 (VGSS): ±12V
    - 连续漏极电流 (ID): 5A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 20A
    - 功率耗散 (TA=25°C): 0.83W
    - 热阻 (Junction to Ambient): 150°C/W
    - 最大结温 (TJ): 150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C to 150°C
    - 电气特性:
    - 开启时漏源击穿电压 (BVDSS): 20V
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): 1μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 门限电压 (VGS(TH)): 0.5V to 1.2V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=4.5V, ID=5.0A: 22mΩ 至 27mΩ
    - VGS=2.5V, ID=3.0A: 28mΩ 至 36mΩ

    产品特点和优势


    SYM8205A具有多种独特的功能和优势,使其在市场上具备较强的竞争力。它是一款20V 5A N通道沟槽MOSFET,具备低导通电阻 (RDS(ON) ≤ 27mΩ @ Vgs=4.5V, Id=5A) 和 (RDS(ON) ≤ 36mΩ @ Vgs=2.5V, Id=3A),这使得其在高电流应用下能够保持较低的功耗。同时,它具有快速开关能力和低栅极电荷,这不仅提高了效率,还减少了开关损耗。该产品还具有高可靠性和耐用性,适用于要求严格的便携式和电池供电设备。

    应用案例和使用建议


    SYM8205A可广泛应用于各种便携式设备和电池供电系统,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。这些设备通常需要高性能和低功耗的MOSFET来确保良好的用户体验和较长的电池寿命。以下是使用建议:
    1. 选择合适的驱动电路:确保栅极驱动电压和电流满足需求,以实现最佳开关性能。
    2. 热管理:由于较高的功率耗散(0.83W),需要有效的散热措施来避免过热,特别是在高负载条件下。
    3. 并联使用:当需要更高的电流能力时,可以考虑并联使用多个SYM8205A,但需注意同步驱动和散热问题。

    兼容性和支持


    SYM8205A采用标准SOT23-6封装,与大多数现有的PCB设计兼容。友台半导体有限公司提供了全面的技术支持,包括详细的电气参数、应用笔记和参考设计。如果您有任何问题,可以通过其官方网站(www.umw-ic.com)联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. Q:在高温环境下,器件的性能如何?
    - A: 在高温环境中,应确保器件的工作温度不超过最大结温150°C。此外,需要采取适当的散热措施以防止过热。
    2. Q:栅极电压过高会对器件造成什么影响?
    - A: 栅极电压超过额定值可能会导致栅极绝缘层损坏,进而影响器件的正常工作。建议严格遵守电气特性的最大栅极电压限制。
    3. Q:如何确保器件的低导通电阻?
    - A: 选择合适的栅极驱动电压(如4.5V或2.5V)和合适的工作电流条件,以获得最低的导通电阻。

    总结和推荐


    总体而言,SYM8205A是一款高效、可靠的MOSFET产品,适合于便携式和电池供电系统的应用。它具有出色的性能参数和强大的市场竞争力。如果您的项目需要在高电流条件下运行并且对功耗有严格要求,SYM8205A将是一个不错的选择。我们强烈推荐您在相关的应用中使用这款产品。

UMW8205A参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 830mW
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.036VGS=2.5V,ID=3A
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±12V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

UMW8205A厂商介绍

UMW公司是马来西亚的一家领先的工业产品分销商,拥有广泛的产品线和专业的技术支持。UMW主营产品主要分为以下几类:

1. 工业自动化:提供各种传感器、控制器、驱动器等,广泛应用于制造业、自动化生产线等领域。
2. 流体控制:包括各种阀门、泵等流体控制设备,服务于石油化工、水处理等行业。
3. 动力传动:提供电机、减速机等动力传动设备,适用于机械制造、物流输送系统等。
4. 电气产品:包括各种电气开关、电缆等,应用于建筑、基础设施建设等领域。

UMW的优势在于:

- 品牌合作:与多家国际知名品牌建立合作关系,提供高质量的产品。
- 技术支持:拥有专业的技术支持团队,为客户提供解决方案和售后服务。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品供应的稳定性和及时性。
- 市场覆盖:广泛的市场覆盖,服务多个行业和领域,满足不同客户的需求。

UMW公司通过其多元化的产品线和专业的服务,为客户提供一站式的工业产品解决方案。

UMW8205A数据手册

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UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) UMW/友台半导体 UMW8205A UMW8205A数据手册

UMW8205A封装设计

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