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TTG160N03AT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 177nC@ 10V 1.3mΩ@ 10V,30A 51A DFN-8
供应商型号: TTG160N03AT
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WUXI UNIGROUP/无锡紫光微电子 场效应管(MOSFET) TTG160N03AT

TTG160N03AT概述

    TTG160N03AT N-Channel Trench MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:TTG160N03AT 是一款 30V N-Channel Trench MOSFET,由无锡紫光微电子有限公司生产。
    主要功能:这款 MOSFET 使用了 Trench Power 技术,具备低 RDS(ON) 和低 Gate Charge 特性,具有高电流能力。
    应用领域:适用于同步整流(如 DC/DC 和 AC/DC 转换器)以及电信和工业中的隔离式 DC/DC 转换器。

    2. 技术参数


    - 工作电压:VDS = 30V
    - 连续漏极电流:ID (TC=25°C) = 51A, ID (TC=100°C) = 51A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 480A
    - 雪崩电流:IAS = 56A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 470mJ
    - 最大结到外壳热阻:RθJC = 1.1°C/W
    - 最大结到环境热阻:RθJA = 100°C/W
    - 静态参数:
    - 击穿电压:BVDSS = 30V
    - 零栅源电压漏电流:IDSS = 1μA (TJ=25°C), 100μA (TJ=125°C)
    - 栅体泄漏电流:IGSS = ±100nA
    - 门限电压:VGS(th) = 1~2.4V
    - 导通电阻:RDS(ON) (VGS=10V) = 1.3~1.8mΩ, RDS(ON) (VGS=4.5V) = 2.0~2.5mΩ
    - 正向跨导:gFS = 61S
    - 动态参数:
    - 输入电容:Ciss = 8826pF
    - 输出电容:Coss = 1320pF
    - 反向传输电容:Crss = 1386pF
    - 门电阻:Rg = 1.7Ω
    - 开关参数:
    - 总门极电荷:Qg = 177nC
    - 门源电荷:Qgs = 29nC
    - 门漏电荷:Qgd = 35nC
    - 导通延时时间:tD(on) = 30ns
    - 关断延迟时间:TD(off) = 101ns
    - 反向恢复时间:tRR = 47ns
    - 反向恢复电荷:Qrr = 43nC

    3. 产品特点和优势


    TTG160N03AT 采用了先进的 Trench Power 技术,具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS=10V 时为 1.8mΩ,在 VGS=4.5V 时为 2.5mΩ。
    - 低门极电荷 (Qg):仅为 177nC。
    - 高电流能力:最大持续漏极电流可达 51A。
    - 强可靠性:所有产品均通过 100% UIS 测试。
    这些特性使其在各种应用中表现出色,尤其适合需要高电流和高效能的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 同步整流:应用于 DC/DC 和 AC/DC 转换器。
    - 隔离式 DC/DC 转换器:广泛用于电信和工业设备。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电压满足 VGS 的要求,以充分发挥其性能。
    - 在设计散热系统时,考虑到 RθJC 和 RθJA 的值,合理设计散热路径,确保温度不超过最大允许值。

    5. 兼容性和支持


    TTG160N03AT 支持标准的 DFN5x6 封装形式,便于集成到现有设计中。无锡紫光微电子有限公司提供了详细的技术支持,包括产品手册和技术咨询服务,以帮助客户更好地利用这款 MOSFET。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热设计,确保散热路径畅通,增加散热片或风扇。 |
    | 漏电流异常 | 检查 VGS 设置是否正确,重新调整驱动电压。 |
    | 门极驱动不稳定 | 检查驱动电路,确认门极电阻 (Rg) 的设置是否合理。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:TTG160N03AT 以其卓越的低 RDS(ON)、低门极电荷以及高电流能力,成为市场上非常有竞争力的产品。它适用于多种应用场景,特别是在高电流需求的设备中表现尤为出色。
    推荐:我们强烈推荐使用 TTG160N03AT,尤其是在需要高性能、高效率和高可靠性的应用场景中。

TTG160N03AT参数

参数
栅极电荷 177nC@ 10V
Id-连续漏极电流 51A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 10V,30A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 DFN-8
应用等级 工业级

TTG160N03AT厂商介绍

无锡华虹半导体有限公司(Wuxi Unigroup)是中国领先的集成电路制造企业之一,专注于为全球客户提供先进的半导体制造服务。公司主营产品包括集成电路(IC)和功率器件,广泛应用于消费电子、通信、计算机、汽车电子、工业控制等多个领域。

华虹半导体的产品分类主要包括:
1. 集成电路(IC):包括逻辑IC、存储器、微控制器等,用于各种电子设备的核心处理。
2. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,用于电力转换和控制,是新能源汽车、智能电网等关键技术的核心组件。

华虹半导体的优势在于:
1. 技术领先:拥有先进的制程技术,能够满足客户对高性能、低功耗产品的需求。
2. 产能规模:拥有大规模的生产线,能够快速响应市场需求,提供稳定的供应链支持。
3. 客户服务:提供定制化的解决方案,以满足不同客户的特定需求,增强客户粘性。
4. 研发投入:持续加大研发投入,推动技术创新,保持行业竞争力。

华虹半导体致力于通过技术创新和优质服务,为全球客户提供高质量的半导体产品,推动电子产业的发展。

TTG160N03AT数据手册

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WUXI UNIGROUP/无锡紫光微电子 场效应管(MOSFET) WUXI UNIGROUP/无锡紫光微电子 TTG160N03AT TTG160N03AT数据手册

TTG160N03AT封装设计

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