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WSF12N10G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 105mΩ@ 10V,5A 12A TO-252
供应商型号: C5242071
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF12N10G

WSF12N10G概述

    WSF12N10G 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    WSF12N10G 是一款采用先进的 SGT MOSFET 技术的功率半导体器件。它具有低 RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关特性和卓越的雪崩特性。这款器件特别设计用于提高坚固性和适用于消费电子产品电源、电机控制、逆变器和隔离式直流应用。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 最大耐压:BVDSS = 100V
    - 栅极阈值电压:VGS(th) = 1.2~2.5V
    - 漏源导通电阻:RDS(ON) = 105~145mΩ(VGS=4.5V)
    - 工作参数
    - 连续漏极电流:ID = 12A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流:ID, pulse = 24A (TC=25°C)
    - 功耗:PD = 16.9W (TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 1.2mJ
    - 热参数
    - 结温范围:Tstg,Tj = -55~150°C
    - 结壳热阻:RθJC = 7.4°C/W
    - 结-环境热阻:RθJA = 62°C/W
    - 电容和时间参数
    - 输入电容:Ciss = 206.1pF
    - 输出电容:Coss = 28.9pF
    - 反向转移电容:Crss = 1.4pF
    - 开启延迟时间:td(on) = 14.7ns
    - 上升时间:tr = 3.5ns
    - 关断延迟时间:td(off) = 20.9ns
    - 下降时间:tf = 2.7ns
    - 总栅极电荷
    - Qg = 4.3nC
    - Qgd = 1.1nC
    - Qgs = 1.5nC

    3. 产品特点和优势


    WSF12N10G 具有以下显著特点:
    - 低 RDS(ON) 和 FOM(优值):保证较低的导通损耗。
    - 低开关损耗:提高整体能效。
    - 优异的稳定性和均匀性:适合各种严苛的应用环境。
    - 快切换速度:降低功耗和热损失。
    - 可靠性高:适合多种复杂应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 消费电子产品电源:如手机充电器、笔记本电脑适配器。
    - 电机控制:适用于各种工业设备中的电机驱动系统。
    - 逆变器和隔离式直流应用:例如太阳能逆变器和电源供应模块。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,确保散热条件良好,以防止过热现象。
    - 使用合适的驱动电路以优化开关性能。
    - 遵循数据手册中的建议,合理配置参数,确保长期可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSF12N10G 与标准 TO-252 封装的器件兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持:Winsok Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询和故障排除服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 产品在高负载下容易过热怎么办?
    - A: 确保散热片或散热风扇安装到位,并检查是否需要增加外部冷却措施。
    - Q: 如何避免栅极电荷引起的噪声问题?
    - A: 使用适当的栅极驱动电路和滤波器,减小噪声干扰。
    - Q: 在极端环境下,如何保持产品性能稳定?
    - A: 选择合适的工作温度范围,并在设计中加入适当的保护电路,如热敏电阻和过流保护电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSF12N10G 作为一款高性能 MOSFET,具备出色的导通特性、快速开关能力和优良的稳定性。它适用于多种严苛的应用环境,并在消费电子产品电源、电机控制和逆变器等领域表现出色。尽管在某些极端应用中需要谨慎使用,但在正确设计和使用条件下,它是一款值得推荐的产品。

WSF12N10G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 105mΩ@ 10V,5A
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252

WSF12N10G数据手册

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WSF12N10G封装设计

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