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WSF2065

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3.5mΩ@ 4.5V,20A 60A TO-252
供应商型号: WSF2065 TO-252-2L
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF2065

WSF2065概述

    WSF2060 N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    WSF2060 是一款采用先进沟槽技术设计的N通道功率MOSFET。这款MOSFET以其超低导通电阻(RDS(ON))和高密度单元设计而闻名,特别适用于各种功率开关应用。由于其出色的热耗散能力和稳定性,WSF2060 也适用于不间断电源(UPS)和硬开关等应用。此外,它的坚固性和均匀性使其在高能量冲击条件下表现出色。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 20 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (ID): 60 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280 mJ
    - 热参数:
    - 热阻 (RθJC): 1.8 ℃/W
    - 阻抗参数:
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 3.5 mΩ @ 4.5V, 20A
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 0.5 V 至 1.1 V
    - 电容参数:
    - 输入电容 (CISS): 2016 pF
    - 输出电容 (COSS): 391 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 130 pF
    - 开关参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 6 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 31 ns

    产品特点和优势


    1. 超低RDS(ON):WSF2060 的超低导通电阻确保了在高电流下的低损耗,从而提高能效。
    2. 高密度单元设计:确保了高效的电流处理能力,提高了功率密度。
    3. 良好的热稳定性和均匀性:使得它能够适应各种复杂的工作环境。
    4. 优秀的封装:TO-252 封装提供优异的热耗散,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 不间断电源 (UPS):在 UPS 中使用时,WSF2060 能够有效地控制电池充电和放电过程中的电流波动。
    - 硬开关应用:在硬开关电路中,WSF2060 的低漏源电压确保了更快速的开关转换。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保所有参数都在额定范围内,避免超过最大工作电压和电流。
    - 使用散热片或其他散热装置以进一步提高热稳定性。
    - 根据具体的应用需求,调整驱动信号频率和脉宽,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF2060 与常见的电源管理电路和控制系统高度兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持和服务:Winsok 为 WSF2060 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、安装指导和技术文档下载。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 过载时器件损坏。
    - 解决方案: 确保负载电流不超过额定值,适当增加散热措施。
    2. 问题: 温度过高导致失效。
    - 解决方案: 增加外部散热装置,确保散热路径畅通。
    3. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 调整驱动电路的频率和占空比,优化开关控制策略。

    总结和推荐


    WSF2060 是一款高性能、高可靠性的N通道功率MOSFET,具有超低导通电阻、高密度单元设计和优秀的热性能。适用于广泛的功率开关应用,特别是在需要高效能和良好热稳定性的场合。考虑到其出色的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用 WSF2060。同时,Winsok 提供了全面的技术支持和售后服务,使您在使用过程中无后顾之忧。

WSF2065参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 60A
栅极电荷 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 4.5V,20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252

WSF2065数据手册

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WSF2065封装设计

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