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WST02N10B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 180mΩ@ 10V,1A 2A SOT-23N
供应商型号: WST02N10B SOT-23L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST02N10B

WST02N10B概述

    WST02N10B Trench N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST02N10B 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,适用于大多数小功率开关和负载开关应用。该器件符合 RoHS 和绿色环保产品要求,并通过了全面的功能可靠性测试。它广泛应用于高频点对点同步开关、小功率开关、网络 DC-DC 电源系统以及负载开关等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 100 | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID (25℃) | 持续漏电流(VGS @ 10V) 2.0 A |
    | ID (70℃) | 持续漏电流(VGS @ 10V) 1.0 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 5 | A |
    | PD (25℃) | 总耗散功率 1.0 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 结到环境热阻 125 ℃/W |
    | RθJC | 结到壳热阻 80 ℃/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID=250uA | 100 V |

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提供了出色的 RDSON 和栅极电荷,适合高频开关应用。
    - 超低栅极电荷:有助于提高开关速度和降低能耗。
    - 优异的 Cdv/dt 效应衰减:减少了电压变化时的瞬态效应。
    - 绿色环保装置:符合 RoHS 标准,无有害物质。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:WST02N10B 广泛用于笔记本电脑、平板电脑和小型计算设备中的小功率开关电源。例如,在一台典型的笔记本电脑中,它可以作为负载开关来控制内部电路的供电,从而实现电源管理。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保 VDS 和 VGS 的电压和电流参数在规定的范围内使用,以避免过压或过流导致的损坏。
    - 注意热管理和散热,特别是在高温环境下使用时,应考虑额外的散热措施以保证可靠运行。
    - 遵循厂家提供的典型应用电路图,以获得最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    WST02N10B 具有良好的兼容性,可与其他标准的 SOT-23 封装电子元件配合使用。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户解决应用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:器件发热严重,影响正常工作。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或使用导热膏,确保器件的结温不超过最大允许值。

    - 问题 2:电压超出额定值。
    - 解决方案:检查输入电源电压,确保在额定电压范围内,避免长时间超过额定值操作。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - WST02N10B 以其出色的 RDSON、栅极电荷和绿色环保特性,在小功率开关和负载开关应用中表现出色。
    - 高密度沟槽技术使得其在高频应用中具备优异的性能。
    推荐:
    鉴于其在性能、可靠性和应用灵活性方面的优势,WST02N10B 是一款值得推荐的小功率开关和负载开关应用的理想选择。

WST02N10B参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 10V,1A
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23N

WST02N10B数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST02N10B WST02N10B数据手册

WST02N10B封装设计

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