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WSR80N10D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 9mΩ@ 10V,20A 60A TO-220AB
供应商型号: WSR80N10D TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR80N10D

WSR80N10D概述

    WSR80N10D N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSR80N10D 是一款先进的 SGT(超薄栅极)MOSFET,专为高速开关和卓越雪崩特性而设计。这款产品具备低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg),适用于消费电子产品电源供应、电机控制以及隔离式直流同步整流应用。其高耐压(BVDSS)和大电流处理能力使其成为多种高可靠性应用的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(BVDSS) | 100 | V |
    | 持续漏极电流(ID) | 60 | A |
    | 脉冲漏极电流(ID, pulse) | 180 | A |
    | 功率耗散(PD) | 107 | W |
    | 雪崩能量(EAS) | 183.8 | mJ |
    | 工作温度范围(Tj) | -55 至 150 | ℃ |
    | 热阻(RθJC) | 1.17 | °C/W |
    | 热阻(RθJA) | 62 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为 9 mΩ(VGS=10V),确保低功耗和高效能。
    - 快速开关:典型开关延迟时间 td(on) 仅为 22.1 ns,提升系统效率。
    - 出色的稳定性:在广泛的温度范围内保持一致的性能。
    - 优异的雪崩特性:提供更好的耐用性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    WSR80N10D 在消费电子、工业控制和通信系统中广泛应用。例如,在一个电机控制系统中,它可以帮助实现高效的电源转换和低损耗。建议在使用时确保散热设计充分,以维持正常的工作温度,从而延长产品寿命。

    5. 兼容性和支持


    WSR80N10D 采用 TO-220AB 封装,易于集成到现有电路板中。Winsok 提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和故障排除手册,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 使用更大的散热片或外部风扇,确保良好的热管理。 |
    | 开关损耗大 | 降低工作频率或优化电路布局以减少杂散电感。 |
    | 导通电阻变高 | 确保 VGS 超过阈值电压(VGS(th)),并避免过高的漏极电流。 |

    7. 总结和推荐


    WSR80N10D 是一款高性能、可靠性和耐用性极佳的 N-Ch MOSFET,特别适合于高电流和高频应用。其优秀的电气特性和紧凑的封装使其成为众多电力电子应用的理想选择。强烈推荐使用 WSR80N10D,特别是在需要高效电源管理和快速开关性能的应用中。

WSR80N10D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V,20A
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220AB

WSR80N10D数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR80N10D WSR80N10D数据手册

WSR80N10D封装设计

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