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WSL220N08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 210A TO-247-3L
供应商型号: WSL220N08 TO-247-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 600
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSL220N08

WSL220N08概述

    WSL220N08 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSL220N08 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,专为高频点对点同步降压转换器和其他网络DC-DC电源系统设计。其高密度单元结构使其具备极低的RDS(on) 和栅极电荷,适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合RoHS和绿色环保标准,并经过100% EAS认证,确保全功能可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 85V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 到 175°C
    - 最大持续漏电流 (ID): 210A(在25°C时),850A(在100°C时,带大型散热片)
    - 最大耗散功率 (PD): 178W(在25°C时),在100°C时
    - 热阻(结到壳) (RθJC): 0.5°C/W
    - 热阻(结到环境) (RθJA): 63.5°C/W
    - 雪崩能量 (EAS): 1800mJ(单脉冲,L=0.5mH)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 85V
    - 漏源通态电阻 (RDS(on)): 4.9mΩ(在VGS=10V,IDS=100A时)
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 10μA(在TJ=85°C时)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 栅漏电流 (IGSS): ±200nA(在VGS=±25V,VDS=0V时)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 7600pF
    - 输出电容 (Coss): 720pF
    - 反向传输电容 (Crss): 346pF
    - 关断延迟时间 (td(OFF)): 84ns
    - 开启上升时间 (Tr): 78ns
    - 门极电荷 (Qg): 140nC

    3. 产品特点和优势


    - 高频率应用: WSL220N08 的低 RDS(on) 和快速开关性能使得它特别适合于高频应用。
    - 高可靠性: 通过100% EAS测试,并满足RoHS和绿色产品要求,确保长期稳定运行。
    - 低功耗: 极低的 RDS(on) 使能效更高,热损耗更低。
    - 广泛的温度范围: 适用于宽广的温度范围(-55°C至175°C),提高其在各种环境下的适用性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 高频点对点同步降压转换器
    - 网络DC-DC电源系统
    - 其他需要高性能和高效能的应用场景
    使用建议:
    - 在高频应用中,选择合适的散热片以保证良好的热管理。
    - 选择适当的驱动电路来优化开关速度和降低损耗。
    - 考虑采用保护电路和冗余设计以提高系统的安全性。

    5. 兼容性和支持


    - WSL220N08 具有标准的TO-247封装,易于集成到现有的电路设计中。
    - 厂商提供技术支持和维护服务,帮助客户解决问题和优化性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何选择合适的散热片?
    - 解决方案: 根据最大功耗和温度范围选择散热片,确保结温不超过175°C。

    - 问题2: 开关过程中出现过大的振铃现象如何处理?
    - 解决方案: 优化门极电阻 (RG) 的选择,调整栅极驱动信号,以减少振铃效应。

    7. 总结和推荐


    总结: WSL220N08 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低RDS(on)、快速开关和高可靠性等特点。其在高频点对点同步降压转换器和其他网络DC-DC电源系统中表现出色,尤其适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
    推荐: 强烈推荐使用WSL220N08,特别是在高频、高效率需求的应用环境中。其卓越的性能和广泛的应用前景使其成为市场上极具竞争力的产品。

WSL220N08参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 210A
通用封装 TO-247-3L

WSL220N08数据手册

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WSL220N08封装设计

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