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WSP9936

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 15.6nC@ 4.5V 15mΩ@ 4.5V,8A 8A SOP-8L
供应商型号: WSP9936 SOP-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP9936

WSP9936概述

    WSP9936 双 N 沟道 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSP9936 是一款双 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高频点对点负载同步整流而设计。它适用于小型电源转换和负载开关应用,如笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超级移动个人电脑(UMPC)和视频图形阵列(VGA)等小型功率设备。此外,它还广泛应用于网络 DC-DC 电源系统。

    2. 技术参数


    - 最大耐压:VDS = 20 V
    - 栅极耐压:VGS = ±12 V
    - 连续漏极电流:
    - TA=25°C 时:ID = 8 A
    - TA=70°C 时:ID = 6.1 A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 40 A
    - 总功耗:PD@TA=25°C = 2 W
    - 存储温度范围:TSTG = -55°C 至 150°C
    - 工作结温范围:TJ = -55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - RθJA = 62.5 °C/W(结到环境)
    - RθJC = 10 °C/W(结到外壳)
    - 典型特性:
    - BVDSS = 20 V,RDSON = 14 mΩ(ID = 8 A)
    - VGS(th) = 0.75 V(典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:实现更高的功率密度和更低的导通电阻。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 出色的 Cdv/dt 效应下降:降低电磁干扰(EMI)。
    - 环保型器件:符合 RoHS 和无卤素标准。
    - 高可靠性:具有全功能可靠性认证,且具备 ESD 保护(2KV)。

    4. 应用案例和使用建议


    WSP9936 可用于以下场景:
    - 笔记本电脑和上网本的电源转换。
    - 网络设备的 DC-DC 电源系统。
    - 小型电子设备的负载开关应用。
    使用建议:
    - 确保在 25°C 的环境下工作,以达到最佳性能。
    - 在高温环境下使用时,注意散热,避免超过最大功耗限制。
    - 选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以优化开关时间和效率。

    5. 兼容性和支持


    WSP9936 可与其他常见的小型功率电子元器件兼容。制造商提供详细的技术支持文档和售后服务,以确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:无法达到额定电流。
    - 解决方案:检查电路板布局和散热情况,确保连接稳定且散热良好。

    - 问题 2:发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或改进 PCB 设计,确保良好的热传导。
    - 问题 3:失效保护不足。
    - 解决方案:添加外部保护电路,如熔断器或限流电阻。

    7. 总结和推荐


    WSP9936 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET,具备优秀的 RDSON 和栅极电荷特性,非常适合各种小型功率转换和负载开关应用。其先进的技术和环保特性使其在市场上具有很高的竞争力。推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用此产品。

WSP9936参数

参数
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 15.6nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 8A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 4.5V,8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 SOP-8L

WSP9936数据手册

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WSP9936封装设计

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