处理中...

首页  >  产品百科  >  WSK160N15

WSK160N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 6.6mΩ@ 10V,30A 160A TO-263-2L
供应商型号: WSK160N15 TO-263-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK160N15

WSK160N15概述

    WSK160N15 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSK160N15 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别适用于高频率点对点同步降压转换器和网络直流-直流电源系统。它具有极高的单元密度,提供了出色的 RDS(ON) 和栅极电荷特性,适用于多种同步降压转换器应用。此外,WSK160N15 符合 RoHS 和绿色产品要求,确保了产品的可靠性和环保性。

    技术参数


    - 电压参数
    - BVDSS(漏源击穿电压):150V
    - VDS(漏源电压):150V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 电流参数
    - ID(连续漏极电流):160A(VGS@10V, TC=25℃)
    - IDM(脉冲漏极电流):550A
    - ISM(脉冲源电流):500A
    - VSD(二极管正向电压):1.3V
    - 电阻参数
    - RDS(ON)(静态漏源导通电阻):6.6mΩ(VGS=10V, ID=30A)
    - 电容参数
    - Ciss(输入电容):5240pF
    - Coss(输出电容):412pF
    - Crss(反向传输电容):30pF
    - 热阻抗参数
    - RθJC(结-壳热阻):0.84℃/W
    - RθJA(结-环境热阻):62℃/W
    - 其他参数
    - Tstg(存储温度范围):-55 至 155℃
    - TJ(工作结温范围):-55 至 155℃

    产品特点和优势


    1. 高密度单元结构:采用先进的高密度沟槽技术,使得产品具备出色的 RDS(ON) 和栅极电荷特性。
    2. 超低栅极电荷:低栅极电荷设计减少了开关损耗,提高了效率。
    3. 优秀的 CdV/dt 效果衰减:有效抑制快速开关时的振荡现象。
    4. 100% EAS 保证:单脉冲雪崩能量高达 506mJ,确保产品的高可靠性。
    5. 绿色环保:符合 RoHS 和绿色产品要求,提供无铅版本。

    应用案例和使用建议


    WSK160N15 主要应用于高频率点对点同步降压转换器和网络直流-直流电源系统。例如,在数据中心和服务器系统中,它能显著提高电源系统的效率和稳定性。在使用过程中,建议如下:
    1. 确保散热良好,以避免过热现象。
    2. 选择合适的栅极驱动电阻,以减少开关损耗。
    3. 在高温环境下使用时,需注意 RDS(ON) 的温度特性变化,适当调整驱动参数。

    兼容性和支持


    WSK160N15 可与其他标准的直流-直流转换器兼容,厂商提供了详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:确保散热片安装正确且接触良好,必要时可使用风扇辅助散热。
    2. 开关噪声:优化电路布局,缩短信号线长度,减少干扰。
    3. 电流浪涌:合理设置限流电阻,避免过大的电流冲击。

    总结和推荐


    WSK160N15 N-Channel MOSFET 凭借其高性能、高可靠性和绿色环保特性,非常适合用于高频率电源系统。它的超低栅极电荷和高密度单元结构使其成为同步降压转换器的理想选择。对于需要高效、稳定电源解决方案的应用场景,强烈推荐使用 WSK160N15。
    总之,WSK160N15 是一款值得信赖的产品,无论是从性能还是从可靠性角度来看,都能满足大部分应用需求。

WSK160N15参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6.6mΩ@ 10V,30A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 160A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-263-2L

WSK160N15数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSK160N15 WSK160N15数据手册

WSK160N15封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 10.3093
2400+ ¥ 10
4000+ ¥ 9.7
库存: 11254
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 8247.44
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504