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WSP09N10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP09N10T SOP-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP09N10T

WSP09N10T概述


    产品简介


    WSP09N10T 双 N-Channel MOSFET 是一款高性能的沟槽式双 N-通道 MOSFET,具有极高密度的单元格结构。它专为高频同步降压转换器应用而设计,提供卓越的导通电阻(RDSON)和栅极电荷,适用于微型计算机(MB/NB/UMPC/VGA)、网络 DC-DC 电源系统及负载开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS 100 | V |
    | VGS | ±20 V |
    | ID(Tc=25℃) 5.8 A |
    | ID(Tc=70℃) 4.7 A |
    | IDM 25 | A |
    | EAS 25 mJ |
    | AAS 10 A |
    | PD(Ta=25℃) 2.5 | W |
    | TSTG | -55 150 | ℃ |
    | TJ | -55 150 | ℃ |
    | RθJA(瞬态) 50 ℃/W |
    | RθJA(稳态) 90 ℃/W |

    产品特点和优势


    - 先进的高密度单元沟槽技术:提供更低的导通电阻和更快的开关速度。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 出色的 dv/dt 效应下降:提高抗电磁干扰能力。
    - 绿色设备:符合 RoHS 和绿色环保标准。
    - 极高的单脉冲雪崩能量:增强可靠性,确保长时间运行稳定。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频同步降压转换器。
    - 微型计算机和笔记本电脑的电源管理。
    - 网络通信设备的 DC-DC 转换器。
    - 负载开关应用。
    使用建议:
    - 在使用时应确保电路板布局合理,避免过大的热阻。
    - 选择适当的散热片以维持器件温度低于 150℃ 的最大允许温度。
    - 对于高频应用,注意布线要短且宽,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于多种板级设计和不同的电子系统,尤其适合与同品牌其他产品兼容。
    - 支持:Winsok 提供全面的技术支持和质量保证,包括 100% EAS 测试和 RoHS 认证。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 采用更好的散热措施,如增加散热片。 |
    | 开关损耗大 | 减少栅极电荷,优化电路布局。 |
    | 雪崩击穿 | 确保使用条件在规定的单脉冲雪崩能量范围内。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    WSP09N10T 在高频率同步降压转换器应用中表现出色,具有极低的导通电阻和优秀的栅极电荷特性。其高密度单元沟槽技术和先进的设计使其成为市场上具有竞争力的产品之一。
    推荐使用:
    对于需要高性能、高效率和紧凑设计的应用,强烈推荐使用 WSP09N10T。同时,在使用过程中应特别注意温度管理和散热,以确保其最佳性能和可靠性。

WSP09N10T参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
通用封装 SOP-8

WSP09N10T数据手册

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WSP09N10T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 1.2941
15000+ ¥ 1.2553
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