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WSR150N04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR150N04 TO-220-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR150N04

WSR150N04概述

    WSR150N04 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSR150N04 是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽工艺技术设计。该器件广泛应用于负载开关、电池保护、不间断电源等领域。它以低栅极电荷提供出色的RDS(ON),能够在广泛的电流和电压范围内工作。

    2. 技术参数


    以下是WSR150N04的关键技术参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 40 | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID@TC=25℃| 连续漏极电流(VGS@10V) 150 A |
    | ID@TC=100℃| 连续漏极电流(VGS@10V) 98 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 600 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 350 mJ |
    | PD@TC=25℃| 总功耗 180 | W |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 热阻结-环境 | 1 50 | ℃/W |
    | RθJC | 热阻结-壳 | 1 0.7 | ℃/W |
    | RDS(ON) | 静态漏源导通电阻(VGS=10V, ID=30A) 4mΩ mΩ |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)): 在标准条件下仅为4mΩ,确保低损耗和高效率。
    - 高耐压能力: 漏源电压达到40V,适合高压环境下的应用。
    - 卓越的热管理: 热阻结-壳为0.7℃/W,保证良好的散热性能。
    - 高可靠性: 具有全面的雪崩测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 优异的封装: 提供良好的热散逸能力,延长产品寿命。
    - 高ESD防护能力: 特殊工艺技术确保高度的静电放电保护。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关: 适用于需要高效开关的电路。
    - 电池保护: 用于监测和保护电池系统。
    - 不间断电源: 保证系统的持续供电。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保良好的散热措施,以避免过热。
    - 使用时注意额定参数,如最大漏源电压和连续漏极电流,防止器件损坏。
    - 结合具体应用场景,如不间断电源,可以考虑并联多个器件以增加电流承载能力。

    5. 兼容性和支持


    该产品可以与多种电子元器件和设备兼容,且具备较好的机械结构设计。Winsok公司提供了详细的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 漏源电压超出额定值
    解决办法: 重新评估系统设计,确保所有电压参数都在安全范围内。
    问题2: 过热
    解决办法: 加装散热片或风扇,优化散热设计。
    问题3: 漏电流过大
    解决办法: 检查系统电路,确认无误后重新上电。

    7. 总结和推荐


    WSR150N04凭借其低导通电阻、高耐压能力和出色的热管理性能,在多个领域具有显著的应用优势。其广泛的应用范围和优秀的技术规格使其成为许多电子工程师的理想选择。综上所述,强烈推荐使用WSR150N04,特别是对于需要高性能、可靠性的应用场合。

WSR150N04参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220AB

WSR150N04数据手册

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WSR150N04封装设计

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