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WSD6060DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD6060DN56 DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD6060DN56

WSD6060DN56概述

    WSD6060DN56 N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSD6060DN56 是一款由Winsok推出的高性能沟槽型N通道MOSFET。它以极高的单元密度提供卓越的导通电阻(RDSON)和栅极电荷(QG),适用于大多数同步降压转换器应用。WSD6060DN56 符合RoHS标准及绿色产品要求,并且通过100% EAS保证完全的功能可靠性。

    技术参数


    以下是WSD6060DN56 的主要技术参数和规格:
    - BVDSS(漏源击穿电压):60V
    - RDSON(导通电阻):7.5mΩ
    - ID(连续漏极电流):65A (TC=25°C)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS):60V
    - 栅源电压 (VGSS):±20V
    - 最大结温 (TJ):150°C
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻率:
    - 结到引脚热阻率 (RθJL):2.1°C/W
    - 结到环境热阻率 (RθJA):45°C/W

    产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术:提供极低的导通电阻和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:优化开关性能,提高能效。
    - 优秀的CdV/dt效应衰减:减少开关过程中的损耗。
    - 100% EAS保证:确保安全操作区域和可靠性。
    - 绿色设备:符合RoHS标准和绿色产品要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:应用于高频点负载同步降压转换器,适用于笔记本电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、UMPC、VGA等设备。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热条件良好,避免过热导致性能下降。
    - 避免将该产品用于极高可靠性要求的应用场景,如生命维持系统或航空控制系统。


    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准电源设备和电路板兼容。
    - 支持和维护:Winsok提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够获得最佳的产品体验。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 如何避免因过热导致的性能下降?
    - A1: 确保良好的散热条件,可以使用适当的散热片或冷却风扇来保持合适的温度。
    - Q2: 产品是否适用于极端高温环境?
    - A2: 尽管WSD6060DN56具有较高的耐温能力,但超过规定温度范围仍可能影响其性能和寿命。务必确保使用环境不超过最高工作温度。

    总结和推荐


    WSD6060DN56 N-Ch MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛应用,非常适合高频同步降压转换器应用。它不仅具备高效的导通特性和低栅极电荷,而且在可靠性方面也表现出色。总体而言,WSD6060DN56 是一个值得信赖的选择,特别适合需要高性能电源管理的应用场合。

WSD6060DN56参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通用封装 DFN-8

WSD6060DN56数据手册

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WSD6060DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 2.0012
15000+ ¥ 1.9412
25000+ ¥ 1.8829
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