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WSP6055

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP6055 SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP6055

WSP6055概述

    WSP6055 P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSP6055 是一款高性能的沟槽式P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。它适用于多种应用,特别是在高频率点负载同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和CCFL背光逆变器中。此外,WSP6055符合RoHS和绿色环保产品的要求,并经过全面的功能可靠性测试验证,保证了其耐用性和稳定性。

    2. 技术参数


    以下是WSP6055的技术规格和性能参数:
    - VDS (Drain-Source Voltage): -55 V
    - VGS (Gate-Source Voltage): ±20 V
    - ID@TC=25℃ (Continuous Drain Current): -6.8 A
    - ID@TC=70℃ (Continuous Drain Current): -4.4 A
    - IDM (Pulsed Drain Current): -16 A
    - PD@TC=25℃ (Total Power Dissipation): 1.25 W
    - TJ/TSTG (Operating/Storage Temperature Range): -55 to 150 ℃
    - RθJA (Thermal Resistance Junction-Ambient): 125 ℃/W
    - RθJC (Thermal Resistance Junction-Case): 80 ℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供卓越的RDS(ON)和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:提高效率并减少功耗。
    - 优秀的CdV/dt效应衰减:确保快速开关操作。
    - 100% EAS保证:全功能可靠性通过。
    - 绿色环保设备可用:符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高频率点负载同步降压转换器:适用于移动便携设备(如MB/NB/UMPC/VGA)。
    - 网络DC-DC电源系统:适合需要高稳定性的数据中心和服务器。
    - CCFL背光逆变器:在液晶显示器背光中表现优异。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应考虑热阻对性能的影响。
    - 确保栅极驱动电压不超过最大限制值以防止损坏。
    - 使用时需配合散热片以提高热性能。

    5. 兼容性和支持


    WSP6055 支持标准SOP-8封装,易于集成到现有电路设计中。制造商提供详尽的技术支持,包括产品文档、设计指南和故障排除建议。此外,制造商还提供了针对各种应用场景的具体使用案例,帮助用户更好地理解如何最有效地利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的热阻导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的热管理措施。
    - 问题:栅极驱动电压过高。
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器,并检查驱动电压是否在推荐范围内。
    - 问题:长时间大电流工作导致过热。
    - 解决方案:在设计中加入保护机制,例如过流保护电路。

    7. 总结和推荐


    WSP6055 P-Ch MOSFET是一款高性能且可靠的产品,特别适合用于高频率和高功率密度的应用场景。其卓越的性能和多项技术优势使其在市场上具备强大的竞争力。强烈推荐在需要高效能和可靠性的应用中使用该产品。

WSP6055参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8

WSP6055数据手册

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WSP6055封装设计

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